S3C2440与SDRAM NorFlash NandFlash连线分析

一、SDRAM（HY57V561620F）连线分析

1、S3C2440有27根地址线ADDR[26:0]，8根片选信号ngcs0-ngcs7,对应bank0-bank7，当访问bankx的地址空间，ngcsx引脚为低电平，选中外设。

2^27=128MByte, 8*128Mbyte = 1Gbyte,所以S3C2440总的寻址空间是1Gbyte。但市面上很少有32位宽度的单片SDRAM，一般选择2片16位SDRAM扩展得到32位SDRAM.

2、这里选择的SDARM是HY57V561620F，4Mbit * 4bank *16I/O，共32Mbyte。

首先了解下SDRAM的寻址原理。SDRAM内部是一个存储阵列，可以把它想象成一个表

格。和表格的检索原理一样，先指定行，再指定列，就可以准确找到所需要的存储单元。这个表格称为逻辑BANK。目前的SDRAM基本都是4个BANK。寻址的流程就是先指定BANK地址，再

指定行地址，最后指定列地址。这就是SDRAM的寻址原理。存储阵列示意图如下：

查看HY57V561620F的资料，可知这个SDRAM有13根行地址线RA0-RA12, 9根列地址线CA0-CA8,2根BANK选择线BA0-BA1。

SDRAM的地址引脚是复用的，在读写SDRAM存储单元时，操作过程是将读写的地址分两次输入到芯片中，每一次都由同一组地址线输入。两次送到芯片上去的地址分别称为行地址和列地址。它们被锁存到芯片内部的行地址锁存器和列地址锁存器。

/RAS是行地址锁存信号，该信号将行地址锁存在芯片内部的行地址锁存器中；

/CAS是列地址锁存信号，该信号将列地址锁存在芯片内部的列地址锁存器中。

地址连线如下图：

问题1：SDRAM:的A0接S3C2440的ADDR2,A0 为什么不接ADDR0？

要理解这种接法，首先要清楚在CPU的寻址空间中，字节（8位）是表示存储容量的唯一单位。用2片HY57V561620F扩展成32位SDRAM，可以认为每个存储单元是4个字节。因此当它的地址线A1:A0=01时，处理器上对应的地址线应为ADDR3:ADDR2=01（因为CPU的寻址空间是以Byte为单位的）。所以SDRAM的A0引脚接到了S3C2440的ADDR2地址线上。同理，如果用1片HY57V561620F，数据线是16位，因为一个存储单元是2个字节，这时SDRAM的A0要接到S3C2440的ADDR1上。

就是说SDRAM的A0接S3C2440的哪一根地址线是根据整个SDRAM的数据位宽来决定的。

问题2：上图接线中，BA0,BA1接ADDR24,ADDR25，为什么用这两根地址线呢？

BA0～BA1代表了SDRAM的最高地址位。因为CPU的寻址空间是以字节（Byte）为单位的，本系统SDRAM容量为64MByte，那就需要A25～A0（64M=2^26）地址线来寻址，所以BA1～BA0地址线应该接到S3C2440的ADDR25～ADDR24引脚上。

13根行地址线+ 9根列地址线= 22根地址线。另外HY57V561620F一个存储单元是2个字节（16I/O），相当于有了23根地址线。BA0,BA1是最高地址位，所以应该接在ADDR24,ADDR25上。

二、NOR FLASH（AM29LV160DB）的接线分析

NOR FLASH的地址线和数据线是分开的。AM29LV160DB是一个2Mbyte的NOR FLASH，分区结构是：

1个16Kbyte扇区，2个8Kbyte扇区，1个32Kbyte扇区，31个64Kbyte扇区（字节模式）；

1个8Kbyte扇区，2个4Kbyte扇区，1个16Kbyte扇区，31个32Kbyte扇区（半字模式）；

共35个扇区。引脚如下：

设计原理图如下：

说明：

AM29LV160DB第47脚是BYTE#脚，BYTE#接高电平时，器件数据位是16位，接低电平时，数据位是8位。

上图BYTE#接VCC，D0-D15做为数据输入输出口。A0-A19是地址线，在半字模式下，D0-D15做为数据输入输出口。因为数据位是16位，A0-A19可以选择2^20 = 1M *2BYTE = 2Mbyte。正好是AM29LV160DB的容量。

S3C2440的ADDR1要接AM29LV160DB的A0。上图中AM29LV160DB的A20，A21是空脚，分别接的是LADDR21,LADDR22。这应该是为了以后方便扩展NOR FLASH的容量。LADDR21,LADDR22对AM29LV160DB是没用的。

当BYTE#接低电平时，D0-D7做为8位数据输入输出口，D15做为地址线A-1。相当于有了A-1,A0-A19共21根地址线。这个时候S3C2440的ADDR0应该接在D15（A-1）………，ADDR20接A19。21根地址线的寻址空间是2^21 = 2Mbyte。正好是AM29LV160DB的容量。

三、与NAND FLASH(K9F1208)的接线分析

1、K9F1208结构如下图

K9F1208位宽是8位（I/O0～I/O7）。

一页：1Page = 512byte + 16byte最后16byte是用于存储校验码和其他信息用的，不能存放实际的数据。

一块有32 page：1block = 32* (512byte + 16byte) =（16k+512）byte

K9F1208有4096个块：

1 device = 4096 *32* (512byte + 16byte) = (64M+2M)byte，总共有64Mbyte可操作的芯片容量

NAND FLASH以页为单位读写数据，以块为单位擦除数据。

其引脚如下：

S3C24440