nandflash(K9F2G08U0A)的复习--APPLE的学习笔记

2，容量计算： (要求：理解如何计算）
3，读写最基本时序 （要求：记住）
4，会配置读写时序timing （要求：理解如何计算）
5，MCU的nandflash配置时，主要使用的寄存器 (要求：记住）
6，常用操作 （要求：记住）
7，nandflash的boot模式 （要求：记住）
8，ecc工作原理 （待做）
9，坏块基本处理方式 （要求：记住）
10，nandflash和norflash的基本区别 （要求：记住)

基于2440+nandflash(K9F2G08U0A)的复习

1,Nandflash的关键接口引脚（要求：记住）
CE（片选），nWE（使能写）,nWE(使能读)，ALE(地址/数据锁存)，CLE（命令锁存），RnB（忙标志），nWP（使能写

保护）

2，容量计算：（要求：理解如何计算）
1 Page = (2K + 64)Bytes
1 Block = (2K + 64)B x 64 Pages
= (128K + 4K) Bytes
1 Device = (2K+64)B x 64Pages x 2,048 Blocks
= 2,112 Mbits
注意单位为Mbits=264Mbyte

另外，列地址A0-A11共12根线，为2^12=4K，其实要么2K，比(2K + 64)大，那么就是4K，需要12根线。 行地址17根

线，即2^17=131072，也就是64Pages x 2,048 Blocks。

3，读写基本最时序如下（要求：记住）

4，会配置读写时序timing。（要求：理解如何计算）
对比如下图后得知TACLS=tcls-twp=0；TWRPH0=twp；TWRPH1=tclh,接着根据公式自己算寄存器值等等。
TACLS [13:12] CLE & ALE duration setting value (0~3)
Duration = HCLK x TACLS

2440nandflash接口延时命名如下：

nandflash时序及延时命名如下：

5，MCU的nandflash配置时，主要使用的寄存器（要求：记住）
a，配置寄存器：主要是配置timing。
b，控制寄存器：主要是控制nandflash使能等。
c，命令基础器：向寄存器写入命令数据后。则接口会自动产生一个写命令的时序。
d，地址寄存器：向寄存器写入地址数据后。则接口会自动产生一个写地址的时序。
e，数据寄存器：向寄存器读出数据后。则接口会自动产生一个读数据的时序。
f，状态寄存器：显示RnB的状态。

6，常用操作（要求：记住）
1，reset流程
当然先要片选使能，然后发生reset命令，检测通过状态寄存器检测RnB脚从低到高。就算reset成功了。
2，read ID
使能片选，检测RnB为闲后，写readid命令，延时后，读取data寄存器中的数据，读5次后，则让片选失效。
3，读操作
使能片选，检测RnB为闲后，写第一个读命令，然后写地址（列+行），再写第二个读命令，等待RnB由忙到闲，则

读取data寄存器中的数据。最后让片选失效。
注：其中有Read Operation with CE don’t-care，即CE连接在MCU的一个普通IO口上。可以不用管。
4，写操作
使能片选，检测RnB为闲后，写第一个写命令，然后写地址（列+行），再写第二个写命令，等待RnB由忙到闲后，

再读I/O bit0是否为0，为0则说明编程没错误。即完成对nandflash的编程操作。
5，擦除操作
使能片选，检测RnB为闲后，写第一个擦除命令，然后写地址（列+行），再写第二个擦除命令，等待RnB由忙到闲

后，再读I/O bit0是否为0，为0则说明擦除没错误。即完成对nandflash的擦除操作。

7，nandflash的boot模式（要求：记住）
MCU可以控制外部nandflash的boot方式。OM=0时，则选择从外部nandflash启动程序。
nandflash的启动机制：
a，前提：程序已经烧录到nandflash的0地址开始处。可以用jlink间接烧录法等。
b，2440MCU上电后，会自动读取nandflash的前4K到它的内部sarm（该区域名称为SteppingStone），然后在

SteppingStone中运行程序。那么假设nandflash中的数据大于4K，而自动复制大小仅为4K，怎么办呢？所以，在这4K

代码中需要加入copynand2ram。然后，拷贝完后，接着PC跳到下一个标志位置继续执行。（解释一下标志位置，如何

一开始在内部sarm中，可能地址为0x100，但是当copynand2ram函数运行完后，此标志位置就会变成

0x30000000+0x100。那么就可以继续执行，而不是重复执行了）

8，ecc工作原理（待做）

9，坏块基本处理方式（要求：记住）
当检测到坏块后，nandflash会自动使用预留的block来代替。并且为此坏块做标记。
* Step1
When an error happens in the nth page of the Block ’A’ during erase or program operation.
* Step2
Copy the data in the 1st ~ (n-1)th page to the same location of another free block. (Block ’B’)
* Step3
Then, copy the nth page data of the Block ’A’ in the buffer memory to the nth page of the Block ’B

’.
* Step4
Do not erase or program to Block ’A’ by creating an ’invalid block’ table or other appropriate