STM32 外部 SRAM

STM32F103ZET6自带了64K字节的SRAM，对一般应用来说，已经足够了，不过在一些对内存要求高的场合，STM32自带的这些内存就不够用了。比如跑算法或者跑GUI等，就可能不太够用

IS62WV51216简介

IS62WV51216是ISSI（IntegratedSiliconSolution,Inc）公司生产的一颗16位宽512K（512*16，即1M字节）容量的CMOS静态内存芯片。该芯片具有如下几个特点：

l高速。具有45ns/55ns访问速度。

l低功耗。

lTTL电平兼容。

l全静态操作。不需要刷新和时钟电路。

l三态输出。

l字节控制功能。支持高/低字节控制。

看看实现IS62WV51216的访问，需要对FSMC进行哪些配置。这里就做一个概括性的讲解。步骤如下：

1）使能FSMC时钟，并配置FSMC相关的IO及其时钟使能。

要使用FSMC，当然首先得开启其时钟。然后需要把FSMC_D0~15，FSMCA0~18等相关IO口，全部配置为复用输出，并使能各IO组的时钟。

使能FSMC时钟的方法：

RCC_AHBPeriphClockCmd(RCC_AHBPeriph_FSMC,ENABLE);

对于其他IO口设置的方法前面讲解很详细，这里不做过多的讲解。

2）设置FSMCBANK1区域3。

此部分包括设置区域3的存储器的工作模式、位宽和读写时序等。我们使用模式A、16位宽，读写共用一个时序寄存器。使用的函数是：

voidFSMC_NORSRAMInit(FSMC_NORSRAMInitTypeDef*FSMC_NORSRAMInitStruct)

3）使能BANK1区域3。

使能BANK的方法跟前面LCD实验也是一样的，这里也不做详细讲解，函数是：

voidFSMC_NORSRAMCmd(uint32_tFSMC_Bank,FunctionalStateNewState)；

通过以上几个步骤，我们就完成了FSMC的配置，可以访问IS62WV51216了，这里还需要注意，因为我们使用的是BANK1的区域3，所以HADDR[27:26]=10，故外部内存的首地址为0X68000000。

1. //使用NOR/SRAM的 Bank1.sector3,地址位HADDR[27,26]=10
2. //对IS61LV25616/IS62WV25616,地址线范围为A0~A17
3. //对IS61LV51216/IS62WV51216,地址线范围为A0~A18
4. #defineBank1_SRAM3_ADDR((u32)(0x68000000))
6. //初始化外部SRAM
7. voidFSMC_SRAM_Init(void)
8. {
9. FSMC_NORSRAMInitTypeDef FSMC_NORSRAMInitStructure;
10. FSMC_NORSRAMTimingInitTypeDef readWriteTiming;
11. GPIO_InitTypeDef GPIO_InitStructure;
13. RCC_APB2PeriphClockCmd(RCC_APB2Periph_GPIOD|RCC_APB2Periph_GPIOE|RCC_APB2Periph_GPIOF|RCC_APB2Periph_GPIOG,ENABLE);
14. RCC_AHBPeriphClockCmd(RCC_AHBPeriph_FSMC,ENABLE);
16. GPIO_InitStructure.GPIO_Pin=0xFF33; //PORTD复用推挽输出
17. GPIO_InitStructure.GPIO_Mode=GPIO_Mode_AF_PP;//复用推挽输出
18. GPIO_InitStructure.GPIO_Speed=GPIO_Speed_50MHz;
19. GPIO_Init(GPIOD,&GPIO_InitStructure);
22. GPIO_InitStructure.GPIO_Pin=0xFF83; //PORTE复用推挽输出
23. GPIO_Init(GPIOE,&GPIO_InitStructure);
25. GPIO_InitStructure.GPIO_Pin=0xF03F; //PORTD复用推挽输出
26. GPIO_Init(GPIOF,&GPIO_InitStructure);
28. GPIO_InitStructure.GPIO_Pin=0x043F; //PORTD复用推挽输出
29. GPIO_Init(GPIOG,&GPIO_InitStructure);
32. readWriteTiming.FSMC_AddressSetupTime=0x00;//地址建立时间（ADDSET）为1个HCLK 1/36M=27ns
33. readWriteTiming.FSMC_AddressHoldTime=0x00;//地址保持时间（ADDHLD）模式A未用到
34. readWriteTiming.FSMC_DataSetupTime=0x03;//数据保持时间（DATAST）为3个HCLK 4/72M=55ns(对EM的SRAM芯片)
35. readWriteTiming.FSMC_BusTurnAroundDuration=0x00;
36. readWriteTiming.FSMC_CLKDivision=0x00;
37. readWriteTiming.FSMC_DataLatency=0x00;
38. readWriteTiming.FSMC_AccessMode=FSMC_AccessMode_A;//模式A
42. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_Bank=FSMC_Bank1_NORSRAM3;// 这里我们使用NE3 ，也就对应BTCR[4],[5]。
43. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_DataAddressMux=FSMC_DataAddressMux_Disable;
44. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_MemoryType=FSMC_MemoryType_SRAM;// FSMC_MemoryType_SRAM; //SRAM
45. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_MemoryDataWidth=FSMC_MemoryDataWidth_16b;//存储器数据宽度为16bit
46. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_BurstAccessMode=FSMC_BurstAccessMode_Disable;// FSMC_BurstAccessMode_Disable;
47. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WaitSignalPolarity=FSMC_WaitSignalPolarity_Low;
48. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_AsynchronousWait=FSMC_AsynchronousWait_Disable;
49. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WrapMode=FSMC_WrapMode_Disable;
50. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WaitSignalActive=FSMC_WaitSignalActive_BeforeWaitState;
51. FSMC_NORSRAMInitStruc