MSP430功能模块详解系列之——FLASH存储器
—主存控制擦除位
0:不擦除
1:主存全擦除,对主存空写时启动擦除操作,完成后MERAS自动复位
ERASE——擦除一段控制位
0:不擦除
1:擦除一段。由空写指令带入段号来指定擦除哪一段,操作完成后自动复位
2.FCTL2 控制寄存器2(对进入时序发生器的时钟进行定义),各位定义如下:
15~8 | 7 | 6 | 5 | 4 | 3 | 2 | 1 | 0 |
安全键值,读时为96H,写时为5AH | SSEL1 | SSEL0 | FN5 | FN4 | FN3 | FN2 | FN1 | FN0 |
SSEL1、SSEL0——选择时钟源
0:ACLK
1:MCLK
2:SMCLK
3:SMCLK
FN5~FN0——分频系数选择位
0:直通
1:2分频
2:3分频
......
63:64分频
3.FCTL3 控制寄存器3(用于控制FLASH存储器操作,保存相应的状态标志和错误条件),各位定义如下:
15~8 | 7 | 6 | 5 | 4 | 3 | 2 | 1 | 0 |
安全键值,读时为96H,写时为5AH | EMEX | Lock | WAIT | ACCVIFG | KEYV | BUSY |
EMEX——紧急退出位。对FLASH的操作失败时使用该位作紧急处理
0:无作用
1:立即停止对FLASH的操作
Lock——锁定位,给已经编程好的FLASH存储器加锁
0:不加锁,FLASH存储器可读、可写、可擦除
1:加锁,加锁的FLASH存储器可读、不可写、不可擦除
WAIT——等待指示信号,该位只读。
0:段编程操作已经开始,编程操作进行中
1:段编程操作有效,当前数据已经正确地写入FLASH存储器,后续编程数据被列入计划
ACCVIFG——非法访问中断标志。当对FLASH阵列进行编程或擦除操作时不能访问FLASH,否则将使得该位置位
0:没有对FLASH存储器的非法访问
1:有对FLASH存储器的非法访问
KEYV——安全键值(口令码)出错标志位
0:对3个控制寄存器的访问,写入时高字节是0A5H
1:对3个控制寄存器的访问,写入时高字节不是0A5H,同时引发PUC信号
KEYV不会自动复位,须用软件复位
BUSY——忙标志位。该位只读。每次编程或擦除之前都应该检查BUSY位。当编程或擦除启动后,时序发生器将自动设置该位为1,操作完成后BUSY位自动复位
0:FLASH存储器不忙
1:FLASH存储器忙
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