STM32 使用 Flash 存储数据时的一种管理办法

while(FLASH->

}

FLASH->CR |= FLASH_CR_PG; //功能选择，写入

while(Length > 0)

{

*WriteAddress = *ReadAddress; //Ram to Flash program, 16bit each

while(FLASH->SR &= FLASH_SR_BSY);

WriteAddress += 1;

ReadAddress += 1;

Length -= 1;

}

FLASH->CR &= ~FLASH_CR_PG; //Clear PG bit

FLASH->CR |= FLASH_CR_LOCK; //Lock flash

以上的写入过程之前，必须确保要写入的 flash 位置首先擦除过，或者说要保证要写入数据的地方的值为0xFFFFFFFF，否则无法写入，硬件会有标志位来报错。

这样以结构体为单位擦写 flash 的好处是，如果需要修改要储存的数据数量或类型的话，只需要修改结构体定义就可以了，而且用结构体来管理变量，程序的可读性较好。

最后就是 flash 的擦写次数问题了，最少10k次的擦写寿命，对于某些需要频繁更新的内容还是太少了，比EEPROM 通常的 100k 少了一个数量级，而且即使是改动一个变量，也必须首先擦除整个 flash 块，更加速了 flash 的消耗。但是 stm32 的 flash 容量还是不错的，动辄 256Kbytes，所以我们可以用容量换寿命，

具体思路就是不要在同一个地址重复擦写，写的时候不停的变换地址，写满以后再擦除。比如，需要储存的结构体长度为 20x16bit，那么一个 2Kbytes 的 flash 页就可以储存 50 个相同的结构体，那么执行完 50 次写操作以后才需要执行一次擦除操作，flash 的使用寿命随之大为延长。

还是以储存一个结构体为例说明如何实现这种储存方式，首先定义结构体，除了你需要储存的数据以外，还要额外增加一个变量，用于识别你当前读写的 flash 地址:

typedef struct //构造结构体

{

unsigned char flag; //用于识别当前地址的标记

unsigned char name[16];

unsigned char male;

float height;

float weight;

}Personal_Information_TypeDef;

#define Length (6) //结构体总长(16bit单位)

#define FLASH_ADDRESS (0x0803F800) //flash地址

#define Personal_Data ((Personal_Information_TypeDef *) FLASH_ADDRESS )

Personal_Information_TypeDef Personal_Data_Mirror; //ram中的结构体

这部分除了结构体中增加了一个标记（flag）变量以外，其它部分相同，但是思想上，我们其实是在 flash 中定义了一个结构体数组，只不过没有使用通常的［］来遍历数组变量，取而代之的是直接使用指针来操作。每次写入时，将 flag 变量固定写为 0x00。需要读取 flash 数据时，就可以根据标记变量 flag 的值找到最新的 flash 数据地址:

#define FLASH_ADDRESS_MAX; //最大偏移量，防止跨区块操作

unsigned short FlashAddress_Offset = 0; //用于储存flash地址偏移量的临时变量

while( (Personal_Data + FlashAddress_Offset) -> flag == 0x00)

{

FlashAddress_Offset += 1;

if( (FlashAddress_Offset + FlashAddress_Offset) > MAX_OFFSET)

{

break;

}

}

找到写有数据的 flash 地址以后，后继的写操作和读操作和单个结构体的操作相似，写的地址变为：(Personal_Data + FlashAddress_Offset)

读的地址是：

(Personal_Data + FlashAddress_Offset － 1)

具体实现时要注意，结构体的长度要算好，不能出现两个结构体交叉写入；擦除 flash 需要时间，此间最好不进行需要读取 flash 的操作。