EM78P156N休眠模式的应用

（休眠模式程序的编写，注意：code option中wdt 要enable,不然仿真不出来中断唤醒）

EM78P156N.pdf介绍休眠时候功耗1uA.

Low power consumption:
* Less then 2 mA at 5V/4MHz
* Typically 20 μA at 3V/32KHz
* Typically 1 μA during sleep mode

实测:4.5V工作电压，休眠时候功耗为<1uA（很低功耗）

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休眠模式的相关介绍：

执行SLEP 指令可进入休眠模式（低功耗模式）。进入休眠模式时，WDT（若使能）清0 但
继续运行。单片机可被如下情况唤醒：
A)
/RESET 引脚上输入的外部复位信号。
B)
WDT 溢出（若使能）。
C)
PORT6 端口输入引脚状态变化。

唤醒后程序继续执行，由中断状态来决定程序是否转入中断处理程序。如果在SLEP 指令执行
前执行ENI 指令，程序将从地址0X08 处执行中断处理。如果在执行SLEP 指令前执行DISI 指
令，程序将从SLEP 指令后继续执行。
进入休眠状态前，B、C 两种情况只有一种可被使能。
i.
如果休眠前PORT6 输入唤醒使能，则WDT 应由软件禁止（代码选择寄存器中WDT 仍为
使能）。因此，EM78P156E 可被A、C 两种情况唤醒。
ii.
如果WDT 使能，则PORT6 输入唤醒应禁止。因此，EM78P156E 可被A、B 两种情况唤醒。

如果PORT6 输入变化中断被用于唤醒单片机，则如下指令应在SLEP 指令前执行：

休眠子程序：

/*********单片机休眠子程序************/
SLEEP:
MOV A,@0B00000110 ;选择TCC内部时钟
CONTW
CLR R1 ;TCC预分频器清0
MOV A,@0B00001110 ;选择WDT预分频
CONTW
WDTC ;清WDT和预分频器
MOV A,@0B00000000 ;WDT禁止
IOW IOCE
MOV R6,R6 ;读PORT6端口
MOV A,@0B00000010 ;使能PORT6输入变化中断
IOW RF
DISI ;禁止全局中断
SLEP ;进入休眠
NOP
MOV A,@0x00 ;WDT DISABLE
IOW 0x0E
NOP

RET