S3C6410，Tiny6410，Mini6410，MoblieDDR内存驱动

S3C6410内存控制器是采用的PL340内存控制芯片。AMBA APB3.0接口协议规定，可以通过编程将AXI从总线接口和APB主总线接口进行桥接，实现二者总线上的数据的传输。

DRAM控制器可以通过配置兼容SDRAM类型芯片。通过向DRAM控制器中PL340写入内存芯片配置参数，内存时序，来控制内存工作。

DRAM控制器可以直接从SDRAM或DRAM接收一个控制命令。通过将操作命令写入direct_cmd寄存器，操作SDRAM进行对应操作。通过向memc_cmd寄存器写入状态模式命令，使DRAM控制器进入对应的工作模式。例如：向direct_cmd寄存器写入：Prechargeall’，‘Autorefresh’，‘NOP’，and ‘MRS’ 等命令，可以让SDRAM芯片分别执行不同操作，向memc_cmd寄存器写入一些状态命令可以让SDRAM芯片进入’Config’, ‘Ready’, and ‘Low_power’等工作模式。

DRAM控制器支持两种节能模式。当SDRAM处于不活动状态并且持续一定的时钟周期时，DRAM控制器会自动将SDRAM进入预充电节能模式或正常节能模式下以降低系统功耗。当驱动操作DRAM控制器进入对应的STOP（停止），Deep Stop（深度睡眠），Sleep Mode（睡眠）等模式时，SDRAM芯片进入自刷新的节能模式。

l 支持SDR SDRAM，Mobile SDR SDRAM，DDR SDRAM和Mobile DDR SDRAM类型芯片

l 支持两个内存芯片

l 支持64位的AMBA AXI总线类型

l 支持16位、64位内存总线

n 存储器接口1：支持16位DDR SDRAM和Mobile DDR SDRAM类型芯片

支持32位DDR SDRAM，Mobile DDR SDRAM，Mobile SDR SDRAM和SDR SDRAM类型芯片

不支持16位Mobile SDR SDRAM和SDR SDRAM类型芯片

l 地址空间：存储器接口1支持最多2Gb地址空间

l 支持正常节能模式和预充电的节能模式

l 数据传输低延迟特性

l 外部存储器总线优化

l 通过设置SFR寄存器支持选择外部存储器选型

l 通过SFR寄存器配置存储器的时序

l 支持扩展MRS指令集

l 工作电压：存储器接口1: 1.8V，2.5V

2. SDRAM类型内存接口

DRAM控制器支持最多两个相同类型的内存芯片，每个芯片最大容量256M。所有芯片共享相同引脚（时钟使能引脚和片选引脚除外），如表1-1所示给出了DRAM控制器的外部存储器引脚配置信息。

3. SDRAM初始化

在系统上电后，必须通过软件配置SDRAM接入DRAM控制器并且初始化DRAM控制器，下面给出DDR、MOBILE DDR SDRAM的初始化流程。

a) 向mem_cmd寄存器写入0b10，使其进入NOP工作状态

b) 向mem_cmd寄存器写入0b00，使其进入Prechargeall（整片预充电）工作状态

c) 向mem_cmd寄存器写入0b11，使其进入Autorefresh（自刷新）工作状态

d) 再次向mem_cmd寄存器写入0b11，使其进入Autorefresh（自刷新）工作状态

e) 向mem_cmd寄存器写入0b10，使其进入MRS工作状态，并且地址空间内的EMRS必须置位

f) 再次向mem_cmd寄存器写入0b10，使其进入MRS工作状态，并且地址空间内的MRS必须置位

4. DRAM寄存器

1) DRAM控制器状态寄存器（P1MEMSTAT）

实际上，读到的有用信息就是Controller Status和Memory width。

2) DRAM控制器命令寄存器（P1MEMCCMD）

最开始应该配置为0x4，是处于Configure状态。在配置完所有的DRAM之后，将该寄存器设置为0x0，处于运行状态。

3) 直接命令寄存器（P1DIRECTCMD）

用于发送命令到DRAM和访问DRAM中的MRS和EMRS寄存器。通过该寄存器初始化DRAM，先设置为NOP模式，然后设置为PrechargeAll进行充电，然后设置EMRS和MRS寄存器，一般是这么一个流程。具体的要参见你所使