S3C2410处理器的扩展设计

1.需求分析
S3C2410是32位处理器（指令一次能够操作32位数据（运算器一次可以处理32位数据）；通用寄存器多是32位寄存器；处理器内部数据通道也是32位的；处理器外部数据总线宽度通常是32位的，地址总线宽度只是代表CPU寻址范围大小，与CPU是多少位的无关，也即32位CPU的地址总线不一定是32根的，例如对于s3c2410，每一个Bank对应27根地址线，寻址能力为128MB，全部8个Bank总的寻址能力为1GB），所以为了最大限度的发挥其性能，内存最好也是32位（指数据宽度）的，（当然，在s3c2410的8个bank中，除了Bank0只能选择16/32数据位宽外，其余的7个Bank均可以单独选择8/16/32位宽的存储系统）然而市面上很少有32位宽度的单片SDRAM，所以一般都采取两片16位的SDRAM进行位扩展得到32位的SDRAM
2.设计电路图
2410与K4S561632D相连

本系统扩展后的内存系统为16M×32Bit的（此处32Bit是指数据位宽度，而非地址位，可以理解SDRAM数据位宽度与地址线的条数无关，明白数据线和地址线的区别，对于下面地址线的连接方式的理解非常重要
3.初始化程序代码
子函数说明：初始化内存控制器
memsetup:
mov r1,#MEM_CTL_BASE
adrl r2,mem_cfg_val
add r3,r1,#52
1:
ldr r4,[r2],#4 @将地址为R2的内存单元数据读取到R4中，然后r2=r2 +4
str r4,[r1],#4 @将r4的数据写入到r1的内存单元，然后r1=r1+4
cmp r1,r3 @比较R1，R3是否设置完所有的13个寄存器。
bne 1b @如果没有复制完，就继续
mov pc,lr @复制完后返回，b指令则不行。区别bl。


@*****************************************************************


子函数说明：复制代码到SDRAM,将SRAM中的4K数据全部复制到SDRAM，
@ SRAM起始地址为0x00000000，SDRAM的起始地址为0x30000000
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copy_steppingstone_to_sdram:
mov r1,#0 @设置R1为SRAM的起始地址为0x00000000
ldr r2,=SDRAM_BASE @设置R2为SDRAM的起始地址为0设置R1为0X300 00000
mov r3 ,#4*1024 @设置R3为4K
1:
ldr r4,[r1],#4 @从SRAM中读取4字节的数据到R4中，然后r1=r 1+4
str r4,[r2],#4 @将r4中的4字节数据复制到SDRAM中，然后r2= r2+4
cmp r1,r3 @判断是否完成：SRAM的地址是否等于末地址> 。
bne 1b @若没有完成，继续复制
mov pc,lr @返回

.align 4
@******************************************************
@存储控制器13个寄存器的设置值
@******************************************************
mem_cfg_val:
.long 0x22011110 @BWSCON ：
.long 0x00000700 @BANKCON0
.long 0x00000700 @BANKCON1
.long 0x00000700 @BANKCON2
.long 0x00000700 @BANKCON3
.long 0x00000700 @BANKCON4
.long 0x00000700 @BANKCON5
.long 0x00018005 @BANKCON6
.long 0x00018005 @BANKCON7
.long 0x008e07a3 @REFRESH
.long 0x000000b1 @BANKSIZE
.long 0x00000030 @MRSRB6
.long 0x00000030 @MRSRB7
2.扩展为64MB的NAND Flash用作启动ROM和大容量存储
1.需求分析
NandFlash接口信号较少
* 数据宽度只有8Bit，没有地址总线。地址和数据总线复用，串行读取

NandFlash地址结构
* NandFlash设备的存储容量是以页(Page)和块(Block)为单位的。
* Page=528Byte (512Byte用于存放数据，其余16Byte用于存放其他信息，如块好坏的标记、块的逻辑地址、页内数据的ECC校验和等)。
* Block=32Page
* 容量为64MB的NandFlash存储结构为：512Byte×32Page×4096Block
* NandFlash以页为单位进行读和编程（写）操作，一页为512Byte；以块为单位进行擦除操作，一块为512Byte*32page=16KB
* 对于64MB的NAND设备，需要26根地址线，由于NAND设备数据总线宽度是8位的，因此必须经过4个时钟周期才能把全部地址信息接收下来
* 可以这么说，第一个时钟周期给出的是目标地址在一个page内的偏移量，而后三个时钟周期给出的是页地址。
* 由于一个页内有512Byte，需要9bit的地址寻址，而第一个时钟周期只给出了低8bit，最高位A8由不同的读命令(Read Mode2)来区分的。
NandFlash的命令

2.电路图设计
扩展芯片：HY57561620

3.NAND FLASH配置寄存器初始化

MemCfgInit(); //设置NAND FLASH的配置寄存器
该函数原型：

void MemCfgInit(void)
{
//rCLKCON |= 0xffff0;

//enable nand flash control, initilize ecc, chip disable,
rNFCONF = (1<15)|(1<12)|(1<11)|(7<8)|(7<4)|(7);
}
使能nand flash控制，初始化，芯片禁能
1<15，NFCONF寄存器是NAND FLASH的配置寄存器
第15位置1，是使能nand flash控制寄存器
此位在芯片开始工作，自动导入的时候将被自动清零，
如果想访问nand flash存储，该位必须置一。
14，13位为保留位
1<12，第12位置1，初始化ECC，S3C2410仅仅支持512个字节的ECC校验，
所以每512个字节，需要设置一次ECC初始化。
ECC是Error Checking and Correcting，错误检查与校验
1<11,第11位置1，NAND flash nFCE 设置为不活动，即nand flash存储芯片禁能
7<8，即10，9，8位设置为111，
这3位是CLE ALE信号的持续时间值设置，持续时间=HCLK*(TACLS + 1)
TACLS即111(b)=7;
7位为保留位
7<4,即6，5，4位设置为111，为TWRPH0 周期设置值，duration=HCLK*
(TWRPH0+1)
3位为保留位
7 位第2，1，0，设置为111，为TWRPH1周期设置值，duration=HCLK*(TWRPH0+1)