MSP430单片机Flash存储器的特性及应用
器的读操作与RAM和ROM完全一样。
三、
1．
掉电保护功能是针对一个工业时间继电器设计的，有关部分的电路如图4所示。电源电压为5V，稳压电压为3.3V加至F1121的VCC。比较器A的反向输入端(P2.4)取自分压电阻（图中分压值为20V）；同向输入端为参考电压，设为内部电压（由软件设定，这里为VCC/2，即1.65V)。正常工作时比较器A输出为低，由图中参数可算出。当电源电压降为4.125V时，VCC仍稳定在3.3V；但比较器A输出将翻转，产生中断。
Flash存储器写入时电压必须保持在2.7~3.6V，因此2.7V是处理的下限。1段（512个字节）的写入时间为3ms。据此，可选择合适的电容，由RC放电电路可得：
式中，V0= 3.3V，V(t)=2.7V，t=3ms，R=5MΩ，则：
经实际测试，在取C=1μF时即能正常工作。为可靠起见，可取C=10μF。如果写入的数据较多，需要更长的处理时间，可以加大电容容量，并在供电回路中串接二极管，以限制反向放电。
从正常工作状态到临界状态，电压有0.875V（5.0V-4.125V）的缓冲，因此，电源电压的变动将不会引起误操作。
2．
程序分为上电复位初始化程序和掉电中断处理程序，如图5及图6所示。
程序初始化时，必须先读取掉电保护标志来决定程序流向，然后把掉电标志复位。在中断处理程序中，对Flash存储器写入数据前都应先擦除标志所在区域；但为节省中断处理时间，可在初始化时预先进行擦除操作，以备下一次的掉电处理写入。
掉电处理程序中必须完成两件事：掉电保护标志置位（也应写在Flash存储器中）；将待保护数据写入Flash存储器中。一般可把数据存入信息存储器中，如果数据量大，可写入没有被程序占用的主存储器中。写入时要关闭所有中断，同时对原系统当前执行的程序作相应的现场保护处理。
应用掉电保护功能的工业时间继电器，需保存16字节预置参数和16字节掉电瞬间运行状态参量以及1字节的掉电保护标志，即总的保存数据为33字节。其中，16字节的预置参数在运行过程中设定，同时已写入B段中。因此，中断处理程序只须将17字节的状态参量写入A段中。经多次实际断电试验，工业时间继电器均能在重新上电时正确恢复断电时的保护数据。
参考文献
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- Windows CE 进程、线程和内存管理(二)(11-09)