ARM·Nand Flash的控制

个人觉得这章内容过于复杂，只需要记住如果nand中4096的程序想要被拷贝出来执行，就把这个代码写进去，红色部分是真正的代码，可以复制过去，直接使用，其他就不做了解了。听了一个小时，这个老师讲的也挺乱的，也没有人能记住这么多东西吧。。。

代码详解，这里先把一部分代码存放在NAND Flash 地址4096之后，当程序启动后通过NAND Flash控制器将他们读出来、执行。

注意：以前的代码都小于4096，开发板启动后他们被自动复制进“Steppingstone”；

现在的代码在4096之后，需要控制NAND Flash将他们读出来、执行

SECTIONS {

firtst 0x00000000 : { head.o init.o nand.o}

second 0x30000000 : AT(4096) { main.o }

}

对于这里，我是这样理解的 。head.o init.o nand.o都放在Nand flash0地址处，0x0000 0000是他的链接地址，也就是放在0x0000 0000处运行；mian.o存放在Nand flash 4096地址处，0x3000 0000是他的链接地址，也就是放在0x3000 0000处运行

（可能也就是前一阵子看到的链接地址和加载地址的区别）

当开发板启动时，前4k的代码被考进SRAM，所以我们需要在SRAM内完成初始化和跳转

SECTIONS {

firtst 0x00000000 : { head.o init.o nand.o}

second 0x30000000 : AT(4096) { main.o }

} @******************************************************************************

@ File：head.s

@ 功能：设置SDRAM，将程序复制到SDRAM，然后跳到SDRAM继续执行

@******************************************************************************

.text

.global _start

_start:

@函数disable_watch_dog, memsetup, init_nand, nand_read_ll在init.c中定义

ldr sp, =4096 @设置堆栈

bl disable_watch_dog @关WATCH DOG

bl memsetup @初始化SDRAM

bl nand_init @初始化NAND Flash

@将NAND Flash中地址4096开始的1024字节代码(main.c编译得到)复制到SDRAM中

@nand_read_ll函数需要3个参数：

ldr r0, =0x30000000 @1. 目标地址=0x30000000，这是SDRAM的起始地址

mov r1, #4096 @2. 源地址 = 4096，连接的时候，main.c中的代码都存在NAND Flash地址4096开始处

mov r2, #2048 @3. 复制长度= 2048(bytes)，对于本实验的main.c，这是足够了

bl nand_read @调用C函数nand_read

ldr sp, =0x34000000 @设置栈

ldr lr, =halt_loop @设置返回地址

ldr pc, =main @b指令和bl指令只能前后跳转32M的范围，所以这里使用向pc赋值的方法进行跳转

halt_loop:

b halt_loop

*对于这一串代码，很多都是前面学过的知识，这里我们只关注配置Nand的红色代码

bl nand_init

*目标地址，源地址，目标长度

ldr r0, =0x30000000 @1. 目标地址=0x30000000，这是SDRAM的起始地址

mov r1, #4096 @2. 源地址 = 4096，连接的时候，main.c中的代码都存在NAND Flash地 址4096开始处

mov r2, #2048 @3. 复制长度= 2048(bytes)，对于本实验的main.c，这是足够了

bl nand_read @调用C函数nand_read

这里我们可以跳转到nand_read中可以看一下

void nand_read(unsigned char *buf, unsigned long start_addr, int size)

{

int i, j;

#ifdef LARGER_NAND_PAGE

if ((start_addr & NAND_BLOCK_MASK_LP) || (size & NAND_BLOCK_MASK_LP)) {

return ;

}

#else

if ((start_addr & NAND_BLOCK_MASK) || (size & NAND_BLOCK_MASK)) {

return ;

}

#endif

nand_select_chip();

for(i=start_addr; i < (start_addr + size);) {

write_cmd(0);

write_addr(i);

#ifdef LARGER_NAND_PAGE

write_cmd(0x30);

#endif

wait_idle();

#ifdef LARGER_NAND_PAGE

for(j=0; j < NAND_SECTOR_SIZE_LP; j++, i++) {

#else

for(j=0; j < NAND_SECTOR_SIZE; j++, i++) {

#endif

*buf = read_data();

buf++;

}

}

#define LARGER_NAND_PAGE

#define GSTATUS1 (*(volatile unsigned int *)0x560000B0)

#define BUSY 1

#define NAND_SECTOR_SIZE 512

#define NAND_BLOCK_MASK (NAND_SECTOR_SIZE - 1)

#define NAND_SECTOR_SIZE_LP 2048

#define NAND_BLOCK_MASK_LP (NAND_SECTOR_SIZE_LP - 1)

typedef unsi