51单片机写DS18B20的驱动

初始化操作方法：单片机先给总线一个高电平，略微延时,然后拉低总线，至少延时480us（我们取600us），然后拉高总线，等待15~60us的时间（我们取80us)，此后DS18B20如果响应，则会发出0，拉低总线，否则为1，单片机检测是否响应的时间在60~240us之内，之后释放总线，程序如下：
bit DS18B20_init()//初始化

{
uchar i;
bit flag_response=0;
DQ=1;
_nop_();_nop_();
DQ=0;
delay_us(90); //延时600us
DQ=1;
delay_us(10); //延时80us
for(i=0;i<15;i++)
{
_nop_();_nop_();_nop_();_nop_();_nop_();
if(!DQ)
{
flag_response=1;
break;
}
}
delay_us(63);//延时420us
DQ=1;//释放总线
return(flag_response);
}

写操作方法：由于是单总线，读写操作都分为写0和写1，从一个字节的最低位逐次往DS18B20里写，先使总线产生一个由1到0的跳变，等待15us(我们取13us)，然后判断要写的那位是1还是0，如果是1，则拉高总线，0则不去操作总线（因为总线开始产生跳变时已被拉低），等待45us(我们取64us)以后释放总线（这段时间DS18B20会采样,如上图所示），程序如下：

void DS18B20_write(uchar dat)//写1个字节
{
uchar i;
for(i=0;i<8;i++)
{
DQ=1;
_nop_();_nop_();
DQ=0;
delay_us(1);//延时13us
if(dat&0x01)
DQ=1;
delay_us(8);//延时64us
DQ=1;//释放总线
dat>>=1;
}
}

读操作方法：使总线产生一个由1到0的跳变，等待1us，马上拉高总线，等待大约12个us（datasheet推荐的采样时间是快接近15us的时候，我们略微提前），单片机采样，如果总线被拉低，则读出的是0，否则就读出1，然后延时45us以上（我们取55us)释放总线；注意，读也是从最低位开始的，这里读出的0，1加到字节最高位，读完后，最高位被移到最低位，实际上是右移了7次

uchar DS18B20_read()//读1个字节
{
uchar i,dat=0;
for(i=0;i<8;i++)
{
dat>>=1;
DQ=1;
_nop_();_nop_();
DQ=0;
_nop_();
DQ=1;
_nop_();_nop_();_nop_();_nop_();_nop_();_nop_();_nop_();_nop_();_nop_();_nop_();//按datasheet上的推荐时序，略微提前
if(DQ)
dat|=0x80;
delay_us(7); //延时55us
DQ=1;
}
return dat;
}