5种主流射频半导体制造工艺
时间：11-01
来源：mwrf搜集整理
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低噪声、电子移动速度快、且集成度高的Si BiCMOS 制程为主。而主要的应用则以中频模块或低层的射频模块为主，至于对于低噪声放大器、功率放大器与开关器等射频前端组件的制造仍力有未逮。
低噪声、电子移动速度快、且集成度高的Si BiCMOS 制程为主。而主要的应用则以中频模块或低层的射频模块为主，至于对于低噪声放大器、功率放大器与开关器等射频前端组件的制造仍力有未逮。