stc12c5A60s2用ds18b20测温

//晶振:12M
//单片机：stc12c5a60s2 1T
/******************************************
跳线设置:默认
注意事项:ds18b20切勿插反，有爆炸烫伤的危险，方向是ds18b20的平面（有字的一面）朝旁边的三极管Q4
***/
#include
#include
#define uchar unsigned char
#define uint unsigned int
//数据口define interface
sbit dula = P2^6; //数码管段选
sbit wela = P2^7; //数码管位选
sbit DQ = P1^7; //18b20接口

uint wendu; //温度值 variable of wenduerature

//不带小数点
unsigned char code table[] = {0x3f,0x06,0x5b,0x4f,0x66,0x6d,0x7d,
0x07,0x7f,0x6f,0x77,0x7c,0x39,0x5e,0x79,0x71};
//带小数点
unsigned char code table1[] = {0xbf,0x86,0xdb,0xcf,0xe6,0xed,0xfd,0x87,0xff,0xef};

/*************精确延时函数**************** */
// 数据表如下
/*
********************************************************************************************************************
延时时间 a的值 b的值 c的值 延时误差（us）
10us 1 1 1 -0.5
20us 1 1 8 0
30us 1 1 15 +0.5
40us 2 1 9 0
50us 1 1 28 0
60us 1 1 35 +0.5
70us 1 1 42 +1
80us 1 1 48 0
90us 1 1 55 +0.5
100us 1 1 61 -0.5
200us 1 1 128 0
300us 3 1 63 +1.5
400us 2 1 129 0
500us 5 1 63 +0.5
600us 6 1 63 0
700us 7 1 63 -0.5
800us 1 3 175 +0.5
900us 9 1 63 -1.5
1ms 1 3 219 -1.5
2ms 2 3 220 +3
3ms 3 3 220 +3
Xms X 3 220 +3
(X的范围为2到255)
*/

void Delay(unsigned char a1,b1,c1)
{
unsigned char a,b,c;
for(a=0;afor(b=0;bfor(c=0;c}

/*****************DS18B20******************/
void Init_Ds18b20(void) //DS18B20初始化send reset and initialization command
{
DQ = 1; //DQ复位,不要也可行。
Delay(1,1,1); //稍做延时 10us
DQ = 0; //单片机拉低总线
Delay(6,1,63); //600 us //精确延时，维持至少480us
//Delay(1,1,15); //20us
DQ = 1; //释放总线，即拉高了总线
Delay(5,1,63); //500us //此处延时有足够,确保能让DS18B20发出存在脉冲。
}

uchar Read_One_Byte() //读取一个字节的数据read a byte date
//读数据时,数据以字节的最低有效位先从总线移出
{
uchar i = 0;
uchar dat = 0;
for(i=8;i>0;i--)
{
DQ = 0; //将总线拉低，要在1us之后释放总线
//单片机要在此下降沿后的15us内读数据才会有效。
_nop_(); //至少维持了1us,表示读时序开始
dat >>= 1; //让从总线上读到的位数据，依次从高位移动到低位。
DQ = 1; //释放总线，此后DS18B20会控制总线,把数据传输到总线上
Delay(1,1,1); //延时10us,此处参照推荐的读时序图，尽量把控制器采样时间放到读时序后的15us内的最后部分
if(DQ) //控制器进行采样
{
dat |= 0x80; //若总线为1,即DQ为1,那就把dat的最高位置1;若为0,则不进行处理,保持为0
}
Delay(1,1,8); //20us //此延时不能少，确保读时序的长度60us。
}
return (dat);
}

void Write_One_Byte(uchar dat)
{
uchar i = 0;
for(i=8;i>0;i--)
{
DQ = 0; //拉低总线
_nop_(); //至少维持了1us,表示写时序(包括写0时序或写1时序)开始
DQ = dat&0x01; //从字节的最低位开始传输
//指令dat的最低位赋予给总线,必须在拉低总线后的15us内,
//因为15us后DS18B20会对总线采样。
Delay(1,1,15); //必须让写时序持续至少60us
DQ = 1; //写完后,必须释放总线,
dat >>= 1;
Delay(1,1,1);
}
}

uint Get_Tmp() //获取温度get the wenduerature
{
float tt;
uchar a,b;
Init_Ds18b20(); //初始化
Write_One_Byte(0xcc); //忽略ROM指令
Write_One_Byte(0x44); //温度转换指令
Init_Ds18b20(); //初始化
Write_One_Byte(0xcc); //忽略ROM指令
Write_One_Byte(0xbe); //读暂存器指令
a = Read_One_Byte(); //读取到的第一个字节为温度LSB
b = Read_One_Byte(); //读取到的第一个字节为温度MSB
wendu = b; //先把高八位有效数据赋于wendu
wendu <= 8; //把以上8位数据从wendu低八位移到高八位
wendu = wendu|a; //两字节合成一个整型变量
tt = wendu*0.0625; //得到真实十进制温度值
//因为DS18B20可以精确到0.0625度
//所以读回数据的最低位代表的是0.0625度
wendu = tt*10+0.5; //放大十倍
//这样做的目的将小数点后第一位也转换为可显示数字
//同时进行一个四舍五入操作。
return wendu;
}

/****************数码码动态显示函数**************/

void Display(uint wendu) //显示程序
{
uchar A1,A2,A3;
A1 = wendu/100; //百位
A2 = wendu%100/10; //十位
A3 = wendu%10; //个位

P0 = table[A1]; //显示百位
dula = 1; //打开段选,对应74573的锁存位,高电平不锁存
dula = 0;
P0 = 0xFe;
wela = 1; //打开位选
wela = 0;
Delay(5,3,220);