2017年射频GaN市场硝烟弥漫，谁会出局？

只测试了10GHz工作模式。

3、NRC报道称GaN150的可靠性测试还在进展中。GaN800工艺过程的MTTF：2.5×107小时（200℃）。

4、OMMIC的测试：外壳80℃、直流电下工作2000小时无明显变化，其源漏电压12V，电流200mA/mm，和在200℃下工作的结果相同。其他的可靠性测试还在进行中。

5、UMS进行测试的科目有：存储、高温反向偏压、高温寿命和直流寿命，以及射频递进应力和射频寿命测试。以上的测试确保产品能够达到200℃下至少工作20年。这类质量鉴定测试是在单位基元上进行测试的，特别是那些有分离器件和有更大栅长的MMIC上。

6、稳懋半导体则为客户提供了全套的测试鉴定报告，包括四个温度的平均无故障工作时间结果。

7、Wolfspeed已经完成了超过1000亿小时的外场工作测试，在测试时间内，其FIT（Failure in time 工作时间失效率）失效率低于每十亿器件小时5个失效（包括分立GaN晶体管和集成电路）。这一公司在近期宣布，他们的GaN射频功率晶体管通过了NASA的卫星和太空系统可靠性标准。其器件还符合NASA的EEE-INST-0021级可靠性测试。

GaN未来发展

图 GaN的未来

GaN的主要竞争对手是在射频领域的LDMOS，在高频领域是GaAs。LDMOS依然主宰着高功率器件市场。目前GaN不会完全的取代任何一项技术，但它也会继续的渗透进这些市场，使自己更具价格竞争力。LDMOS每年也会进一步研发提高性能，所以这些市场上两者将会继续竞争下去，在未来，GaN必将出现亮眼的表现。

BAE系统公司认为在一段很长的时间内，GaN的微波应用将持续繁荣。主要在高功率领域，频率从1到100GHz。尽管如此，GaN也不会完全的替代GaAs和Si，毕竟GaAs和Si都有独特的性能，而且其相关的经济体也会确保这些材料的持续生存。GaN的爆发是要在其高产技术成熟而且晶圆尺寸扩大，成本降低的时候。现在来看，GaN显然是一个市场的颠覆性技术，至少在下个十年内，没有什么半导体技术能够撼动它的地位。

期待GaN后续的技术发展，像节约成本的Si基GaN、增强热导性能的金刚石基GaN。GaN也将会更广泛的应用，不仅仅在功率放大器上，还要应用到其它像是低噪声放大器啦，开关啦，还有多功能集成电路啦等等。GaN十分适合应用在低噪声放大器/限幅器上，因为它结合了低噪特性和高击穿电压，后者对限幅比较有利。

未来器件的战争将会在GaN/SiC或者是GaN/Si之间打响。工业上会有哪项技术出局么？

Si基GaN有着低成本的良好前景——提供了更大的晶圆直径和更低成本衬底以及加工成本。如果表现出的特性非常接近GaN/SiC的表现，那么，硅基氮化镓成本优势将会变成SiC基氮化镓制造的首要难题。

但从另一方面来说，SiC拥有导热性能是一些器件所需要的，也会为这两种技术继续存活留下空间。