使用QDR-IV设计高性能网络系统——第二部分

总线转换的注意事项

总线转换时间非常重要，其决定了读和写指令间是否需要额外的间隔来避免在同一个I/O 端口上发生总线冲突。

想象下QDR-IV HP SRAM 中端口A 先后收到写指令和读指令。从CK 信号的上升沿(与初始化写指令周期相对应)算起，在整整三个时钟周期后向DQA 引脚提供写数据。读数据则将在下一个周期发送，因为 DQ从CK 信号的上升沿(与初始化读指令的周期相应)算起五个时钟周期后才能获得数据。此外，为符合总线转换时间和传输时延(从ASIC/FPGA 到QDR IV 存储器)，还有两个额外周期。因此，启动写指令后，可以立即启动读指令。

在其他情况下，如果先启动读指令后启动写指令，那么发送读指令经过三个时钟周期后，才能发送写指令。这是因为，从在时钟信号CK 的上升沿上对读指令进行采样算起，经过五个周期后可获得DQA 引脚上的读数据，并且从在时钟信号CK 的上 升沿上对写指令进行采样算起，在整三个时钟周期内向DQA 引脚提供写数据。否则，将会发生总线冲突。因此，发送写指令后的最小时钟周期应该为RL – WL + 1(RL：读时延;WL：写时延;这两个时延的单位为时钟周期数)。另外一个时钟周期用于正确捕获数据并补偿总线转换时延(通常为一个时钟周期)。

如果传输时延大于总线转换时延，那么‘读到写’指令间的间隔为：

“读到写”指令间的时间周期 = 读时延 – 写时延 + 1 + 传输时延

请参考图7。发送读指令经过四个时钟周期后，将发送端口A 的写指令。这样是为了避免因读/写时延、总线转换时间和传输时延间的差别而导致的总线冲突。

总线翻转

QDR-IV 器件支持总线翻转以降低切换噪声和I/O功耗。在存储事务处理中，存储器控制器和QDR-IV都可以选择应用总线翻转。

由于QDR-IV 器件的POD 信令模式为I/O 信号提供了到VDDQ 的高压终端选项，所以信号转为高电平逻辑状态不会耗电。因此，总线翻转对于POD I/O 信号是一个很重要的性能。QDR-IV 会保证翻转地址和数据总线的数据完整性。

使用芯片配置寄存器来启用或禁用地址和数据总线翻转功能。

地址总线翻转

AINV 是双倍数据速率信号，每次将地址发送给存储器器件时都会更新该信号。AINV 引脚指示是否对地址总线(An –A0)和AP 进行了翻转。AINV 是高电平有效信号。当AINV = 1 时，将翻转地址总线;当AINV = 0 时，不翻转地址总线。AINV 引脚的功能由存储器控制器控制。

地址总线和地址奇偶位都被视为地址组(AG)。

表5显示的是AG 定义以及x18 和x36 QDR-IV 选项的AINV 设置条件。

x36器件示例

不进行地址总线翻转：

假设要访问的地址分别为22’h 000199和22’h 3FFCFF。17个地址引脚需要在第一个和第二个地址的逻辑状态间进行切换，如下表所示(红色单元格显示)。这样会增大地址引脚上的切换噪声、I/O电流以及串扰。

进行地址总线翻转：

根据表5显示，第一个地址组(22'h 000199)满足翻转逻辑条件。因此，存储器控制器发送第一个地址组前，它会将地址组从22’h 000199翻转为22’h 3FFE66，并将AINV引脚置为1。由于不需要翻转第二个地址组，所以存储器控制器可以将其直接发送，并将AINV设置为0。

下表显示的是地址总线翻转的结果。在这种情况下，只有5个地址引脚需要切换逻辑(红色单元格显示)。切换位的总数降低为5，所以降低了由于同时切换输出(SSO)而引起的噪声、I/O电流以及串扰。

数据总线翻转

数据总线翻转在数据线路中也类似，但翻转位由存储器控制器在存储器写操作期间生成，并且翻转位由QDR-IV存储器中的翻转逻辑在存储器读操作期间生成。

DINVA和DINVB引脚指示了是否翻转相应的DQA和DQB引脚。DINVA和DINVB均为高电平有效信号。当DINV = 1时，将翻转数据总线;当DINV = 0时，不翻转数据总线。

DINVA[1]和DINVA[0]相互独立并控制与其相应的DQA组。DINVA[0]控制DQA[17:0](对于x36的配置)或DQA[8:0](对于x18的配置)。DINVA[1]控制DQA[35:18](对于x36的配置)或DQA[17:9](对于x18的配置)。同样，DINVB[0]控制x36配置中的DQB[17:0]或x18配置中的DQB[8:0]。DINVB[1]控制x36配置中的DQB[35:18]或x18配置中的DQA[17:9]。

表8显示的是DINV位说明以及x18和x36 QDR-IV选项的DINVA设置条件。

注意：可以对