InGaAs探测器：先进航天遥感仪器之核心

综上所述，中科院上海技物所研究团队联合相关单位，开展了2.5微米波长InGaAs探测材料及器件关键科学问题研究，实现了单元、320×256、1024×128等规模的探测器，实现了延伸波长InGaAs探测器的自主研发及应用演示成像，为航天应用提供科学支撑。该研究成果可进一步向微光夜视、安全监测等领域推广应用，具有重大的经济效益和社会效益。

项目组下一步的计划是：开展延伸波长InGaAs大面积高性能探测材料及器件研究，构建关键科学问题-关键技术-典型应用的一体化研究链，引入低维量子结构进行能带及界面应力调控，研究应变异质外延层失配位错抑制的微观机制和低损伤成结微观物理机制及有效钝化机理，建立材料微光敏区核心参数与器件关键性能参数之间的关联性，解决室温工作百万像素级InGaAs焦平面探测器所面临的大面积异变外延材料及器件工艺均匀性、芯片及焦平面噪声抑制等关键技术，使外延材料性能达到国际先进水平，并研制2.5微米波长1024×1024探测器，且峰值探测率优于（5×10¹¹）厘米·赫兹^1/2/瓦，实现演示成像，为中国高端短波红外光探测器件的发展奠定坚实的科学技术基础。

致谢：感谢国家973计划项目"高性能近红外InGaAs探测材料基础研究及其航天应用验证"（课题编号：2012CB619200）的支持。

专家简介

龚海梅：中科院上海技术物理研究所研究员。
张永刚：中科院上海微系统与信息技术研究所研究员。
缪国庆：中科院长春精密机械与物理研究所研究员。
韦欣：中科院半导体研究所研究员。
李雪：中科院上海技术物理研究所。