一种基于FM20L08存储器的温度测试仪设计
1 引言
高温测试仪主要用于加热过程中的温度跟踪测量和数据采集,通过对测试数据进行系统分析,研究炉内的温度分布和温差变化规律,分析影响加热质量的主要因素,对加热炉加热过程和加热制度进行优化,提高加热质量,降低燃料消耗。
而在一些收集存储数据的系统,系统的电压可能变化不定或者突然断电,FM20L08就是针对这些系统可以用来直接替换异步静态存储器(SRAM)而设计的存储器,也是Ramtron现有的最大容量的铁电存储器(FRAM),能够进行无限次的读写操作. 使用FM20L08能够极大的节约电路板空间。使用FM20L08存储器的温度测试仪,兼具大容量数据存储、抗冲击、抗干扰、数据断电不丢失、实时采集速度高的特点[1]。
2 铁电存储器( FRAM)与FM20L08
2.1 铁电存储器介绍
FRAM是Ramtron公司近年推出的一款掉电不挥发存储器,它结合了高性能和低功耗操作,能在没有电源的情况下保存数据。FRAM存储器技术的核心技术是铁电晶体材料。这一特殊材料使得铁电存储产品同时拥有随机存取存储器(RAM)和非易失性存储产品的特性。铁电晶体材料的工作原理是:当把电场加到铁电晶体材料上,晶阵中的中心原子会沿着电场方向运动,到达稳定状态。晶阵中的每个自由浮动的中心原子只有两个稳定状态。一个用来记忆逻辑中的0,另一个记忆1。中心原子能在常温、没有电场的情况下停留在此状态达一百年以上。铁电存储器不需要定时刷新,能在断电情况下保存数据。由于在整个物理过程中没有任何原子碰撞, FRAM拥有高速读写、超低功耗和无限次写入等超级特性[2]。
2.2 FM20L08特点与引脚功能
FM20L08是Ramtron公司近年推出的一款存储容量为128×8bits FRAM,其读写操作与标准 SRAM 相同。主要特点如下:3.3V单电源供电;并行接口;提供SOIC和DIP两种封装;功耗低,静态电流小于10μA,读写电流小于15mA;非挥发性,掉电后数据能保存10年;访问进入时间为 60 ns。高速的页模式操作总线速度最高可达到 33MHz,4 字节脉冲;写操作无延时,读写无限次;可满足工业温度 (-40℃ 到 +85℃)。
FM20L08的引脚排列如图1所示。各引脚功能如下:
/CE2:片选端;
:写使能端;
:输出使能端口;
A0~A16:地址端;
DQ0~DQ7 :数据端;
VDD:电源;
VSS:接地端。
图1 FM20L08引脚图
图2 温度记录仪原理框图
3 温度记录仪系统硬件组成
采用内含多路开关、A/D
FM20L08FRAM与一般的SRAM在使用过程中有所差别。FM20L08在 为低电平CE2为高电平时被选中,每一次访问都必须确保 的由高向低的跃变。由于铁电存储器使用的技术比较特殊,在操作过程中有预充电过程。预充电操作是为新访问记忆体的一个内部条件,所有记忆体周期包括记忆体访问和预充电,预充电是由 引脚为高电平开始,它必须保持高电平至少为一特定的最小时间。
4 温度记录仪系统软件设计
程序分为主程序、数据采集程序、USB通讯程序[3]。工作过程为: 记录仪首先加电压, 通过外部信号进行中断, 使单片机进入数据采集的子程序并循环,达到定时时间后, 停止采集,退出子程序, 进入主循环, 等待串口信号外部触发, 从而进入数据传输子程序, 将数据通过串口送入PC 机,图3为温度记录仪程序流程图。
图3 温度记录仪程序流程图
5 抗干扰措施
5.1 硬件抗干扰
为防止记录仪在回收并重新上电以后, AD的误操作将存储器中的数据冲掉,应考虑从硬件设计上排除这种可能性, 最根本的方法是从硬件上断开与采集模块的连接。
5.2 软件抗干扰
单片机受干扰信号作用时, 将使系统失控, 最典型的就是PC 的状态值。它的修改将导致两种主要的软件非正常工作形式:“程序跑飞”和“死循环”, 为此在设计上采用了三种抗干扰方法:(1) 指令冗余技术。指令由操作码和操作数组成,操作
码指明CPU要完成什么样的操作,而操作数是操作码的对象。单字节指令只有操作码,隐含操作数;双字节指令,第一个字节是操作码,第二个字节是操作数;三字节指令第一个字节是操作码,后二个字节是操作数。CPU在取指令的时候是先
- 一种基于FM20L08的温度测试仪(07-12)
- 热电偶温度测试仪的工作原理及几大优点(01-05)
- 频宽、取样速率及奈奎斯特定理(09-14)
- 为什么要进行信号调理?(09-30)
- IEEE802.16-2004 WiMAX物理层操作和测量(09-16)