关键所在：利用射频到热和焊缝

即使电压并不高。有了感性负载，非常高的水平尖峰和浪涌可以在紧密间隔的陶瓷电容唬年纪大了，高压电容器聚酯薄膜和聚苯乙烯可以提供良好的耐老化性能和严格的公差，并能帮助消除电弧，因为这些技术比表面贴装陶瓷大。

使连接

设计被设计成加热金属高功率RF链接时，连接器可以具有十分重要的意义。毕竟，连接器使用的金属，留给我们一个难题：金属做一个好盾牌和射频连接器，如BNC，F型，MCX，SMA，和其他人使用的金属外壳与屏蔽的利益阻抗控制的一部分。

但是，这些相对小尺寸的连接器没有太多总表面积和散热可能是一个问题。这意味着，当需要高功率链路，小型和低成本的连接器是不适合的。

一旦你这样做的工程，你可以使自己的实体是正确的构图，造型，以及有效的耦合密度。对于中等功率，预最终放大级，老式和较大的射频连接器，如旧UHF和N型，可以是最好的。

底盘贴装部件，如腰带26-8011有很多热物质和使成固体底盘和/或散热片（图5）具有良好的热连接。他们的特点是在50欧姆，用摩擦相关的联锁可靠的螺丝接触代替。这可以使他们在震动和冲击的存在更安全。

阻抗控制的射频连接器图片

图5：用大量的热质量，可以有效地将热量传递到机箱或散热器的阻抗控制的射频连接器是用于中等功率水平是有用的。可能需要定制的解决方案非常大功率的最后阶段，最终的功率放大后。

配合电缆的RG-8，213，58，和59，例如，使用公插头还与很多热质量。黄铜和镍涂层应该足以满足大多数应用高达500兆赫。

功率晶体管

很少管设计正在发生和高压大功率半导体技术的蓬勃发展，许多美好的半导体器件已准备好处理的射频功率相当不错的金额。

虽然在多数情况下，频率也不会那么高，载流容量和电压的可能。在大多数情况下，场效应管技术是最好的，因为它可以用它携带非常低的RDS（ON）规格，而这样做的切换做好。必须小心，以保护FET的从过应力由于薄氧化物层在栅极可能破裂。

像NXP BLF578,112部件的位置不错的选择（图6）。这LDMOS RF FET可处理多达88条的速度高达108 MHz和实现1000 W的输出电平。注意陶瓷封装具有较大的热容量和散热片。同时还提供了BLF178P，112，配置为半桥双版本。

NXP BLF578,112的图像

图6：所有的高功率组件，可能需要散热和冷却，但要小心：如果案件和热安装非电隔离，他们可能有不同的电压，并且不能安装到公共导体。

评估您的需求

最终，这将是要焊接或退火，这将决定您需要的最佳频率选择（频率或混合）材料的种类。更重要的是，这将是你的愿望来加热或焊接，将决定的功率水平将需要的体积和截面面积。

除了烹饪和焊接，也有该技术的要求不高用途。例如，一金属编织，可以使用在TFT显示器，以允许精确和有效的加热控制，使得一个显示在-50℃下操作。与往常一样，知道射频技术和部件的能力，你将需要实现这些和其他的应用是成功的一半。