分析极端条件下的六种电流测量方法

加以补偿。很多时候，MOSFET的TCR会高达4000ppm/℃，相当于温度上升100℃，电阻的变化达到40%。通常来说，这种测量方法的信号精度大约为10%～20%。从应用对精度的要求来看，对于提供过压保护来说，这个精度范围是可以接受的。比率式 - 电流检测MOSFET MOSFET由成千上万个能降低导通电阻的并联的晶体管元胞构成。检流MOSFET使用一少部分并联元胞，连到共栅极和漏极，但源极是分开的（图7）。这样就产生了第2个隔离的晶体管，即“检测”晶体管。当晶体管导通时，流经检测晶体管的电流与流经其他元胞的主电流成一定比例。 精度公差的范围取决于具体的晶体管产品，低的达到5%，高的可以达到15%到20%。这种方法通常不适合一般要求测量精度达到1%的电流控制应用，但适合过流和短路保护。从上面的总结表可以看出，探测电路中电流的方法有很多种，要根据应用特定的需求来选择合适的方法。每种方法均有其优点和短板，这些因素都要在设计中加以仔细考量。