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天线测量中的定义

时间:12-26 来源:互联网 点击:
当所有阵列单元都存在且都被激励的时候,阵列单元负载上的电压与在这些负载上流过的电流之比。
对于指定的平面口径天线,其最大有效面积与口径面积之比
当每一个阵列单元都是各向同性辐射的时候,阵列天线的辐射方向图。注:当各自的阵列单元的辐射方向图相同,且阵列单元平移后是全等的,则阵列因子和单元方向图的乘积给出了整个阵列的辐射方向图。
椭圆极化的长轴与短轴之比。
除了返回源方向的其它任何指定方向上的散射截面积。
对于无限大的平面阵列来说,阵列单元在一个有规律的网络上排列,垂直于平面阵列且平行于网格边棱的任何一个对称平面。
在空间任何一点上,场的矢量端点,作为时间的函数做圆周运动。注:圆极化可视为椭圆极化的特例,其轴比为1。
天线预期要辐射(接收)的极化
在包含参考椭圆极化的指定平面上正交规定参考极化的极化。注:参考极化一般为主极化。
天线在给定方向上的辐射强度与整个所有方向上的平均辐射强度之比。注:1)平均辐射强度等于天线总辐射功率除以4π。2)如果方向未特指,则方向性为最大辐射方向的强度。
在给定方向上给定极化分量的辐射强度除以所有方向上的总的辐射强度的平均值。注:在指定方向上(总的)天线方向性是任意两个正交极化分量方向性之和。
在给定方向上,接收天线负载上的有用功率与从该方向入射到天线的平面波的功率通过密度之比。该平面波的极化与天线一致。注:1)如果方向未特指,则为最大辐射强度方向。2)在给定方向上的天线有效面积等于工作波长的平方乘以这个方向上的增益在除以4π。
在空间一点上,作为时间的函数,场矢量端点做椭圆运动称为椭圆极化场矢量。注:因而,从广义上说,椭圆极化可以理解为包括圆极化和线极化任意单一频率的场矢量都是椭圆极化,然而通常采用其严格意义,即非圆极化和非线极化。
对于线极化的天线,包含电场矢量和最大辐射方向的平面。
对于给定的散射体,该面积等于单站截面积与4π之比的均方根值乘以波长。注:若平行于入射波阵面的理想反射平板与波长相比很大,其等效平板面积近似等于物体的单站截面积。
天线远场区是指角谱场分布从本质上与该区域指定的距离无关的天线场区。注:在自由空间内,如果天线的最大总线度D比波长大得多,通常的远区场为距天线大于
2D2/λ的场区,λ是波长。某些天线远场方向图,例如多波束反射体天线,在整个天线口径上的相位变化是非常敏感的,对于这些天线,2D2/λ可能是不恰当的。
在这个区内,天线场是聚焦的。注:在天线夫琅和费区内聚焦在无穷远。由已知天线源的分布计算的场值,当平方律相位项(和更高阶项)忽略以后,也是非常准确的。
这个区域与天线聚焦区域相邻(即刚刚在夫琅和费区外边)。注:在口径的费涅尔区内,当由已知的天线的源分布来计算场值,是非常不准确的,除非将平方律相位项也包括进来,计算的场也就准确了。
在给定方向上,辐射强度与各向同性辐射强度之比。注:1)增益并不包括阻抗和极化失配所引起的损耗。2)各向同性辐射功率的辐射强度等于天线接收的功率除以4π。3)如果天线没有耗散损耗,则在任意给定方向上它的增益等于它的方向性。4)如果方向没有指定,即特指最大辐射强度。5)绝对增益的术语只需要特别强调要求与相对增益相区别的敌方使用,例如绝对增益测量。
在给定方向上,相应于给定极化的辐射强度分量除以各向同性天线所接收的功率而获得辐射强度。注:在指定方向上,天线总的增益是任何两个正交极化分量增益之和。
不同于主瓣。栅瓣是当阵列天线相邻单元间距非常大以允许多于一个方向上辐射场同相相加而产生的。
天线的增益与天线噪声温度之比。注:1)通常天线接收系统品质因素是指定的。对于这样一种情况,品质因素是天线增益除以天线负载的系统噪声温度。2)在辐射(RF)系统的任何参考平面上系统的品质因素是相同的。这是因为对于天线负载,增益和相同噪声温度参考于一个相同的参考平面。
对于线极化天线来说,包含磁场矢量和最大辐射方向的平面
包括两个相继的主平面的交界面的任何平面,并且在一个中间极爱哦督的平面位置上。注:实际上交叉平面位于相继主平面之间等分的角度的位置上。通常二等分角是必要条件,即仅指相继主平面之间的交叉平面。
当阵列的所有其它单元都不在时,阵列天线辐射单元的输入阻抗
在所有方向上,辐射强度相等的理想无耗天线。注:为了表示实际天线的方向性特性,各向同性辐射器给出了一个合适的参考值。
在空间一点上,作为时间的函数,场的矢量端点做直线运动。注:线极化可被看作为椭圆极化的特殊情况,即椭圆轴比变为无穷大。
最大辐射方向的辐射瓣。注:对于具体的天线,例如多波束,或分开波束天线,其主瓣多于一个。
一个天线在给定角度范围内的相对功率方向图的平均值。这个指定的角度范围不包括注波束。功率方向图是相对于主波束峰值而言的。
除了主瓣之外的任何辐射瓣
朝着源方向的散射截面积。
在一个多单元阵列天线中任意两个负载端之间的互阻抗等于在第一个负载端产生的

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