如何预防和解决连接器的电磁干扰问题

磁性元件，特别是所谓"铁芯扼流圈"型贮能电感器，是用在电源变换器之中的，总是产生电磁常磁路中的气隙相当于串联电路中的一个大电阻，那儿要消耗 较多 的电能。于是，铁芯扼流圈，绕制在铁氧体棒上，在棒周围产生强的电磁场，在电极附近有最强的场强。在使用回描结构的开关电源中，变压器上必定有一个空隙， 其间有很强的磁常在其中保持磁场最合适的元件是螺旋管，使电磁场沿管芯长度方向分布。这就是在高频工作的磁性元件优选螺旋结构的原因之一。

　　不恰当的去耦电路通常也变成干扰源。如果电路要求大的脉冲电流，以及局部去耦时不能保证小电容或十分高的内阻需要，则由电源回路产生的电压就下降。这相当于纹波，或者相当于终端间的电压快速变化。由于封装的杂散电容，干扰能耦合到其它电路中去，引起共模问题。

　　当共模电流污染Ｉ／Ｏ接口电路时，该问题必须解决在通过连接器之前。不同的应用，建议用不同的方法来解决这个问题。在视频电路中，那儿Ｉ／Ｏ信号是单 端 的，且公用同一共同回路，要解决它，用小型ＬＣ滤波器滤掉噪声。在低频串联接口网络中，有些杂散电容就足够将噪声分流到底板上。差分驱动的接口，如以太， 通常是通过变压器耦合到Ｉ／Ｏ区域，是在变压器一侧或两侧的中心抽头提供耦合的。这些中心抽头经高压电容器与底板相连，将共模噪声分流到底板上，以使信号 不发生失真。

　　在Ｉ／Ｏ区域内的共模噪声

　　没有一个通用办法来解决所有类型的Ｉ／Ｏ接口的问题。设计师们的主要目标是将电路设计好，而常常忽略了一些视为简单的细节。一些基本法则能使噪声在到达连接器以前，降至最小：

　　１）将去耦电容设置在紧挨负载处。

　　２）快速变化的前后沿的脉冲电流，其环路尺寸应最小。

　　３）使大电流器件（即驱动器和ＡＳＩＣ）远离Ｉ／Ｏ端口。

　　４）测定信号的完整性，以保证过冲和下冲最小，特别是对于大电流的关键性信号（如时钟，总线）。

　　５）使用局部滤波，如ＲＦ铁氧体，可吸收ＲＦ干扰。

　　６）提供低阻抗搭接到底板上或在Ｉ／Ｏ区域的基准在底板上。 射频噪声和连接器

　　即使工程师采取许多上述所列的预防措施，来减小在Ｉ／Ｏ区内的ＲＦ噪声，还不能保证这些预防措施能否成功地足够满足发射要求。有些噪声是传导干扰，即 在内 部电路板上按共模电流流动。这个干扰源是在底板和电路等之间。于是，这个ＲＦ电流一定通过最低阻抗（在底板和载信号线之间）的通路流动。如果连接器没呈现 足够低的阻抗（与底板的搭接处），这ＲＦ电流经杂散电容流动。当这ＲＦ电流流过电缆时，不可避免地产生发射。

　　使共模电流注入到Ｉ／Ｏ区的另一机理，是附近有强的干扰源的耦合。甚至有些"屏蔽"连接器也无用，因为干扰源就在连接器附近，如ＰＣ机环境。如果在连接器和底板之间有一个缺口，此处所感应的ＲＦ电压可以使ＥＭＣ性能下降。

　　屏蔽连接器方法有，加指形簧片或垫片。连接器的搭接，是在连接器和机壳之间填满空处。这个方法要求有一个衬垫。金属衬垫较好，只要处理合适，也就是说，只要表面不被污染，只要手不触及或损坏衬垫以及只要有足够的压力，以保持好的、低阻抗的接触。

　　别的方法是连接器装接头片或者把连接器安装在机壳上。此时，最大接触面稍微小些，且应严格控制接头片的尺寸和弹性。安装屏蔽连接器时，在机壳上开口， 开口 的一侧要去掉油污，要仔细制作，若公差不合适，导致连接器在机壳内陷入太深，使搭接中断。每位ＥＭＣ工程师知道，在"极好"的系统当中，这个问题一定要满 足发射要求，并在生产线及时检查。未紧固的或弯曲的衬垫，安装于关键区域的油污上，将失效。

　　由于下述原因选用了ＥＭＩ连接器：

　　１）导电发泡塑料是极其柔软的，且能放在连接器的整个周围。这就消除了与另一机壳、衬垫有关的问题。

　　２）机械工程师可以在系统机壳可接收的公差范围内安装连接器。

　　３）连接器与机壳实现低阻抗搭接，以保证良好接触。机壳壁内侧上的衬垫，当要涂漆有遮蔽要求时，可以用更柔软的材料。

　　４）要求强迫冷却的设计，衬垫最好有另一特点：连接器和机壳壁之间的缝应密封起来，以减少气漏。在有尘埃的环境中，衬垫要起到系统内保持干净。

　　结论

　　当前市场上有各种各样的连接器，能使设计师为特殊接口，获得最佳设计。