一款新型架构线性稳压器的崭新应用

低至1mA或高至1A的电流源。电流源的温度系数是稳压器的温度系数加上电阻阻值随温度而发生的变化所产生的任何漂移。

由于LT3080能够在低至0V的电压条件下运作，因而使其成为通用型试验室电源的合适之选。然而，如果工作电压范围很高，则实验室稳压器的功耗会变得非常高。图5中的电路示出了一个与LT3080相连的开关预稳压器，该稳压器通过把输入电压控制在比输出高大约1.5V的电平上而将功耗抑制在低至1.5W左右。

        LT3080被连接至一个P沟道FET的栅极和源极。该P沟道FET的“接通”门限设定了LT3080两端的压差电压。P沟道FET的漏极与一个开关稳压器的反馈引脚相连。

当该电路被接通时，开关稳压器输出将上升，直到流过P沟道FET的电流足以使反馈引脚（FB）的电压升至1.2V为止，这会降低开关稳压器的输出。LT3080随后将在其两端加有约一个MOS门限电压的条件下运作。调整LT3080的设定电阻可设定输出电压，且输入电压将跟踪比输出高1.5V的电压。

图6示出了一款功耗更低的开关稳压器。这里采用的是一个PNP的射极-基极电压，而不是P沟道FET的门限电压。当把多个LT3080器件并联起来以提供高电流时，这将把功耗抑制在更低的水平上。该电路要求把LT3080的输入引脚连接至输入电压，以确保在控制电路两端具有足够的工作电压。于是，一个PNP射极-基极电压将把LT3080的输出晶体管两端的电压设定为0.6V。这样，1A电流条件下的功耗仅为0.6W。同样，开关稳压器将跟踪输出，而且输出可被调节低至0V。

图6 用于较高电流电源的预稳压器