高能效手机充电器的电源设计

接成正比，并可通过调节开关频率对其容差进行完全补偿。
　　二极管D7对次级进行整流，C7用来滤波。D7使用40V肖特基势垒二极管，以便提供更高的效率。如果可以接受较低的效率，则可以使用1A PN结型二极管以降低成本。C6和R7用来限制D7上的瞬态电压尖峰，并降低传导及辐射EMI。本设计采用了很多EMI滤波和屏蔽措施，能以较大裕量轻松满足EN55022 B级标准。

电阻R8和齐纳二极管VR1形成输出假负载，可以确保空载时的输出电压处于可接受的限制范围内。集成的齐纳二极管用于限制电池自放电，但如果没有此要求，则可省去该元件。 反馈电阻R5和R6被用来设定最大工作频率与恒压阶段的输出电压。

D6、R4和C5形成U1的可选偏置电源，这样可以对U1进行低压供电，从而使EPS的空载功耗达到30mW。如果省去这些元件，U1将从高压初级侧获取电源，此时空载功耗最高将升至200mW，但仍符合能源之星EPS V2.0规范。如果不要求达到超低空载功耗，在可省去偏置电路，以进一步降低成本。

C4的作用是对U1进行去耦并控制输出电缆补偿功能。这种补偿方式可以确保在恒压模式下以及整个负载范围内向电缆末端提供恒压输出，但随着转换器负载从空载增大至峰值功率点(恒压与恒流之间的切换点)，它将通过增大反馈引脚参考电压对输出电缆上的压降进行补偿。控制器则根据状态调节器的输出来决定输出负载以及相应补偿的程度。

1μF的值对应对一条0.3 Ω、24 AWG USB输出电缆的补偿。(10 μF电容对0.49 Ω、26 AWG USB输出电缆进行补偿。)

图2描述了25℃条件下对整个输入电压范围内的输出电压及电流的严格控制。图2中所示的LinkSwitch-II的输出容差是以P/G封装在0℃至100℃的结温度范围内指定的。

25℃条件下随输入电压变化的典型CV/CC特性曲线。

LinkSwitch-II内所集成的多项控制和保护功能化解了开关电源设计中常见的难题，并能确保在大批量生产中保持其性能的一致性。设计支持包括参考设计套件和应用支持，这些都可以在网站www.Powerint.com中找到。LinkSwitch-II为低功率外部电源在性能、效率和成本方面设立新基准。