基于DSl210的微处理器存储系统电源监控

3 基于PDSl210的微处理器存储电路设计
图2所示是基于DSl210的微处理器存储系统的电源监控电路。它可以实现对RAM的写保护，以保证RAM数据读写的准确和可靠。图2中的2脚
和7脚分别是两个接电池的管脚，外接电池1和电池2；而6脚，即片选输出管脚接RAM的片选使能信号输入管脚；4脚为接地管脚；存储器的工作电源输入脚VCCI接+5 V电源；DSl210的电源输出脚VCCO连接到RAM的电源输入VCC端，以对RAM提供电源。把偏差控制脚3接地时，系统即认为VCCI在4．75～5．5 V之间变化的正常供电状态。只有当VCC低于4．75 V或者高于5．5 V时，系统就会视供电电源为失效或不正常，从而做出相应的反应。

系统启动后，首先检测电池状态是不是满足要求，如果不满足，报警电路就会发出报警。紧接着用于探测电源偏差的精密比较器电路会对输入的工作电源VCCO进行监视。如果偏差在允许的范围内，DSl210的内部电子开关就会保持VCCI与VCCO的连接，以表示工作正常，否则，这个电子开关就会切断VCCI与VCCO的连接，而把电池l与VCCO连接起来对RAM供电，直到电源偏差检测电路监视到VCCI输入正常，电子开关再断开电池与VCCCO的连接，同时恢复VCCI与VCCO的连接。在电子开关切换时，DSl210会让片选输出信号输出高电平，从而对RAM进行读写保护。而当恢复正常供电状态后，又重新输出低电平，使RAM读写有效，以允许对RAM进行正常读写操作。

4 结束语
微处理器系统中的存储系统是非常重要的组成部分。为了保证存储系统的安全和可靠，本文在分析了电源监视DSl210芯片的原理结构的基础上，给出了一种基于DSl210处理器电源监视芯片的微处理器存储系统电路的设计方法。