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基于DSl210的微处理器存储系统电源监控

时间:06-30 来源:互联网 点击:

3 基于PDSl210的微处理器存储电路设计
图2所示是基于DSl210的微处理器存储系统的电源监控电路。它可以实现对RAM的写保护,以保证RAM数据读写的准确和可靠。图2中的2脚
和7脚分别是两个接电池的管脚,外接电池1和电池2;而6脚,即片选输出管脚接RAM的片选使能信号输入管脚;4脚为接地管脚;存储器的工作电源输入脚VCCI接+5 V电源;DSl210的电源输出脚VCCO连接到RAM的电源输入VCC端,以对RAM提供电源。把偏差控制脚3接地时,系统即认为VCCI在4.75~5.5 V之间变化的正常供电状态。只有当VCC低于4.75 V或者高于5.5 V时,系统就会视供电电源为失效或不正常,从而做出相应的反应。

系统启动后,首先检测电池状态是不是满足要求,如果不满足,报警电路就会发出报警。紧接着用于探测电源偏差的精密比较器电路会对输入的工作电源VCCO进行监视。如果偏差在允许的范围内,DSl210的内部电子开关就会保持VCCI与VCCO的连接,以表示工作正常,否则,这个电子开关就会切断VCCI与VCCO的连接,而把电池l与VCCO连接起来对RAM供电,直到电源偏差检测电路监视到VCCI输入正常,电子开关再断开电池与VCCCO的连接,同时恢复VCCI与VCCO的连接。在电子开关切换时,DSl210会让片选输出信号输出高电平,从而对RAM进行读写保护。而当恢复正常供电状态后,又重新输出低电平,使RAM读写有效,以允许对RAM进行正常读写操作。

4 结束语
微处理器系统中的存储系统是非常重要的组成部分。为了保证存储系统的安全和可靠,本文在分析了电源监视DSl210芯片的原理结构的基础上,给出了一种基于DSl210处理器电源监视芯片的微处理器存储系统电路的设计方法。

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