新型BiCMOS带隙基准电路的设计

放大器的重要性能指标是开环直流增益大、电源抑制比高。运放结构如图5所示，采用两级放大结构：第一级是双端输入单端输出的以共源共栅PMOS为负载的折叠共源共栅结构;第二级为共源放大(两级中间用电容做补偿)。这样的结构提供足够高的直流增益，同时共源共栅负载的应用，不仅提高了开环直流增益而且增大了电源抑制比。

2 带隙基准电路仿真结果

电路采用Xfab O.35μm BiCMOS的工艺模型库，用Cadence Specte仿真器对电路进行仿真模拟。当电源电压为3.3 V时，图6和图7分别是温度相关性和电源抑制比(PSRR)的曲线图。结果显示，本带隙基准输出O.5 V稳定电压，在-40～+125℃的温度范围内，温漂为15 ppm，电路表现出良好的温度特性。同时，低频时基准电压源的电源抑制比可达-103 dB，在40 kHz以前电源抑制比小于-100 dB。图8是本电路在不同工作电压下的输出电压，可见电路正常启动电压为2 V，电路启动后基准电压的变化小于O.06 mV。

3 结语

带隙基准电压电路作为模拟电路中的重要模块对A/D采集精度、电源管理芯片的性能都有重要影响。本文设计了一种高精度、高电源抑制比、低电压的带隙基准电路，并且实现了对基准电压的外部修调。结果表明：电路在3.3 V电源电压，-40～+125℃下能提供稳定的0.5 V基准电压输出，温漂15 ppm，低频时电源抑制比-103 dB，达到了设计要求。