基于全桥逆变电路的野外用微波炉

摘要：根据在野外使用微波炉的需求，采用直流供电、全桥逆变、高频升压的方式设计了一种新型野外用微波炉。采用UCC3895作为移相控制芯片驱动全桥逆变电路，同时具有过流、过压保护电路，可有效确保磁控管的稳定运行。该野外微波炉避免了家用微波炉采用直流电源供电时要另加逆变控制器的麻烦，实现了野外微波炉的高效率、小型化和便捷化。
关键词：野外用微波炉；全桥逆变；移相PWM；直流供电

O 引言
在有交流220 V电源的场合，可以利用市面上已有的各种微波炉，但在没有交流电源的地方，要使用微波炉，通常是要用一个大功率DC ／AC逆变器将蓄电池电源变成220 V交流电源，再供给微波炉使用，这会造成使用比较麻烦，且电池利用率相对不高等问题。现有产品缺少一种可以直接使用直流电源的微波炉。本文给出了一种采用直流电源供电的野外微波炉一体化设计方案，可以解决野外工作者和户外游玩者的饮食加热问题。

1 野外微波炉整体设计
图1是野外用微波炉的原理框图。其中，一体化定时火力选择电机、风扇电机、转盘电机；照明灯采用DC 24 V供电。正常工作时，通过移相控制电路、驱动电路和全桥逆变电路，将DC 24 V逆变为高频方波电压，再通过高频变压器升压获得2 000 V的高频电压，最后经过倍压整流得到4 000 V的负向直流电压接到磁控管阴极。另外，为提高系统稳定性，将磁控管的阴极电压引回到移相控制电路中形成闭环控制，使磁控管阴极电压稳定在3 800～4 200 V范围内。电路中，采用UCC3895来控制相位，利用功率MOS管的输出电容和变压器的漏电感作为谐振元件，从而实现功率器件开关状态的零电压切换。同时UCC3895还具有过流欠压保护等功能。与传统由直流电源逆变为220V供电的微波炉比较，具有变压器体积小，重量轻，整机成本低的特点，尤其转换效率得到了较大提高。

在图1中，S1为门第一联锁开关；S2为门第二联锁开关；S3为门监控开关；S4为定时器开关；S5为火力选择开关；S6为磁控管自复位热断路器；M1为一体化定时器火力选择样机；M2为风扇电机；M3为转盘电机；T为高频升压变压器；MAG为磁控管。

2 逆变电路的设计
2．1 移相控制电路的设计
本文采用UCC3895作为移相控制芯片，电路如图2所示。UCC3895是UCC3875的改进型，除具有UCC3875功能外，还增加了自适应死区设置，既可工作于电压模式，也可工作于电流模式，具有完善的过流、过压、欠压保护和软启动模式，性能优越。其中，利用电流互感器，将磁控管电流信号经引脚CS，引脚ADS与引脚RAMP分别输至电流检测及过电流比较器，自适应延时设定放大器和PWM比较器。磁控管经电阻分压，TL-431和光电耦合器等馈送至SS／DISB，从而实现电压反馈控制功能。

其中，振荡频率和同一桥臂的延时时间可由下式确定：

2．2 驱动电路的设计
驱动电路采用光耦隔离器6N137和集成驱动芯片IXDD414，如图3所示。6N137为高速光电耦合器，由其真值表(如表1所示)可知，其输入与输出为反向，但当输入为低电平时，输出为集电极开路的高电平，所以这里使用上拉电阻调整电路。IXDD414是一种高速大电流驱动器，可以在栅极电压上升和下降的短暂时间内产生或吸收14 A的峰值电流。该驱动芯片的输入兼容COMS和TTL，同时可利用使能端EN进行短路检测，在EN输入为逻辑低电平时，封锁芯片输出为高阻态，实现MOSFET或IGBT的软关断，以防止开关器件因过压而损坏。

2．3 全桥逆变主回路的设计
本文采用全桥逆变电路，如图4所示。与半桥逆变相比，全桥逆变具有结构简单，电压利用率与可输出功率高的特点。另外，在一般情况下，最大反向电压不会超过电源电压Vs，4个再生二极管能消除一部分由漏感产生的瞬间电压。开关管采用MOSFET，是因为其具有导通压降小，开关速度快，输出功率大等特点。采用RC缓冲器可以在开关管关断时减小集电极电压应力，以防止开关管因反压过大而烧坏。

选用RFP50N05L，TO-220AB封装作为开关管进行计算。以开关管导通电阻Rds(on)=0．027 Ω，高频变压器效率η=0．9，输入电压Ui=24 V，磁控管功率Po=920 W，占空比D=0．5为例，得Ii=43．6 A，Vds(on)=43．6×0．027=1．17 V，Pds=1．17×43．6×2×0．5=51．3 W。

3 高频变压器设计
选择开关频率为50 kHz，输入电压为22～26 V，额定输入电压Ui=24 V，输出电压Uo=2 000 V，输出电流Io=300 mA，变压器允许温升为20℃，效率为80％。
(1)P1=Po／η=920／0．9=1 022 W。
由PQ磁芯资料选定A16铁氧体材料EE55／55／21铁芯，其Ae=354 mm2。
(2)因使用EE55／55／21的铁芯，由参考图可知，其生产厂家推荐的磁感应强度峰值Bm在50 kHz时为90 mT，磁感应密度增量△B=180mT= 0．18 T。
(3)在占空比为0．5时：
Ton(max)=0．51／50 000=10μs
原边匝数：
Np=Vb×Ton／(△B×Ae)=24×10／(0．18×354)=4匝
(4)
其中：50 V为整流时，绕组的等压降。
每匝的伏数=24／4=6 V
副边匝数Ns=2 050／6=342匝
若忽略开关损耗等，理论计算微波部分的总效率为：