高性能电子镇流器系统及其专用集成控制器设计
时间:02-26
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产品ML4832采用Bicmos工艺替代原先的双极型工艺,电路偏置电流大大减小,自耗显著降低;第四代产品ML4833不仅采用Bicmos工艺,内部结构亦有重大改进,故功能增强,性能更好。这些器件尽管都可采用图5功能框图,实际上ML4831和ML4832的内部结构及ML4833的内部结构分别如图6及图7所示。
图5ML4831/32/33功能框图
图6ML4831/32内部结构框图
图7ML4833内部结构框图
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