UOUT=1V的DC/DC变换器发展趋势

杂散电感。与离散式方案相比，集成方案将主板占用空间降低了60％。

双DualFETKY在1V操作环境下的峰值电路内效率高达约87％，可解决低功率应用的设计难题。

随着1V工作环境从低功率便携系统向高功率系统延伸，应选择真正优化的功率半导体器件来增强系统性能。双FETKY方案可改善低至Vout=1V的工作电压的应用系统的性能。

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图1为同步补偿DC/DC变换器拓扑结构，深色部分为控制MOSFET（VT1）、同步MOSFET（VT2）和并联肖特基二极管。每一器件都需要特别优化，以获得较高的电路效率。VT1要求低RDS（on）值和低的Qsw；VT2要求低RDS（on）及低的QGD/QGS1电荷比；肖特基要求低UF值。

双FETKY为U_OUT=1V的应用提供了较高的电路效率，峰值效率约为87％。图2展示的是低功率便携系统的电路性能，可以看出，U_OUT=1V时，负载功率损耗得以降低。