开关电源的抗干扰问题

通过变压器绕组间的耦合电容来传递。如果在初、次级之间插入屏蔽层，并使之良好接地，便能使干扰电压通过屏蔽层旁路掉，从而减小输出端的干扰电压。屏蔽层对变压器的能量传输并无不良影响，但影响了绕组间的耦合电容。图2画出了带屏蔽层的隔离变压器的共模干扰通路。从图2中可以看到要使共模衰减量大，只要变压器屏蔽层接地阻抗小，便能奏效。理论上带屏蔽层的变压器能使衰减量达到60dB左右。但实际使用后可以发现，对于尖峰干扰有抑制，其效果也不十分明显。

图2带屏蔽层的变压器

C1：初级绕组与屏蔽层之间的分布电容C2：次级绕组与屏蔽层之间的分布电容

ZE:屏蔽层接地阻抗Z2：负载对地阻抗

e1:初级干扰（共模型）电压e2：次级干扰（共模型）电压

（3）压敏电阻、气体放电管、TVS管、固体放电管等吸波器件。这类器件都有共同的特点，即在阈值电压以下呈现高阻抗，而一旦超过阈值电压，则阻抗便急剧下降，因此对尖峰电压都有一定的抑制作用，但也有各自的局限性，例如气体放电管的响应速度较慢，压敏电阻的电流吸收能力又不够大，TVS管和固体放电管的阈值电压一般仅为300V～400V。

5FTS系列群脉冲对抗器及LSA系列雷击浪涌吸收器

上海三基公司设计的FTS群脉冲对抗器系列与

LSA雷击浪涌吸收器系列，就具有高速的响应级别、高的耐压和更强的浪涌吸收电流。

图3试验接线图

（a）未插入FTS（b）插入FTS

图4未插入FTS时测得的波形

（a）A处波形（b）B处波形

图5插入FTS后测得的波形

(a)A处波形(b)B处波形

FTS系列群脉冲干扰对抗器是根据用户反映电子产品难于通过IEC61000－4－4标准（关于电快速瞬态脉冲干扰的标准）而研制的一种新型抗干扰器件。

电快速瞬变脉冲是一种上升沿为5ns,半坡宽50ns，重复频率为2.5kHz或5kHz的脉冲群，其谐波频率可达100MHz，而普通电源滤波器无法起到抑制作用。

普通电源滤波器是由一些无损耗电抗元件构成的，能阻止频带以外的其它信号通过，并把它反射到信号源。因此当阻抗不匹配时，一部分有用信号将被反射，重新返回信号源，这样反而导致干扰电平的增加而不是减小。而群脉冲干扰对抗器则克服了电源滤波器的上述缺点，采用了吸收与反射相结合的原理。

吸收部分采用从日本定制的专用铁氧体材料以及美国PROTEK公司生产的新型半导体削波器件组成的复合结构。铁氧体由于其自身特点，对直流或低频信号几乎没有功率损耗，而对于1MHz以上的高频噪声则有很强的吸收作用，并将这些能量以热的形式释放，而不是反射回信号源，也不是辐射出去。在用于群脉冲对抗器的铁氧体材料的定制中，我们要求有很大的饱和磁通密度，并且单位体积损耗与饱和磁通密度之比要足够高，从而使得该器件在体积足够小的情况下能对干扰起到较强的抑制作用。半导体器件吸收部分，我们采用PROTEK公司的吸收器件，它具有极高的响应速度，实测值响应时间小于1ns。

反射部分，FTS系列分别采用TDK高饱和磁通密度的材料作为共轭线圈的磁芯，采用特殊的绕线方法，提高对共模干扰的抑制，降低本器件的分布参数，而在内部滤波电容的选择上，FTS选用高频响应电容。

由于内部半导体和电容器的不同，因此对抗器的工作电压也不同。工作电压高的适用于交流输入端，而工作电压低的适宜于直流输入或输出端。

图3是在IEC61000－4－4三级标准下，未插入FTS与插入FTS后的试验接线图。图4，图5分别为未插入与插入FTS时在输出端所测得波形。由图看出，插入FTS后对于5ns上升沿的脉冲串的削幅起着重要作用，从而减弱了干扰的能量。

表6LSA雷击浪涌吸收器系列参数（工作电压：240VAC）

表5FTS群脉冲对抗器系列参数

型号

参数

总之，FTS系列在参数设计，器件的选用，线路的布局等诸多方面，经过反复试验，终于成为分布参数低、衰减频