分析影响IGBT驱动电路性能参数的因素

薄膜电容C3对高频谐波(几兆赫芝) 的抑制很有效。但是， 当两个电容同时作用时， 高频谐波依然会被引入， 这并没有达到我们预期的效果；对比直流电源电压在10V～100V时各种情况下的电压上升沿与下降沿时间可以发现： 上升时间与下降时间不会随着直流电源电压的增大而变化。也就是说： 在实际的全桥电路中， 这些参数不会跟随母线的变化而变化。

3 结束语

在实际电路中， 栅极电阻的选择要考虑开关速度的要求和损耗的大小。栅极电阻也不是越小越好， 当栅极电阻很小时， IGBT的CE间电压尖峰过大， 栅极电阻很大时， 又会增大开关损耗。

所以， 选择时要在CE间尖峰电压能够承受的范围内适当减小栅极电阻。

由于电路中的杂散电感会引起开关状态下电压和电流的尖峰和振铃， 所以， 在实际的驱动电路中， 连线要尽量短， 并且驱动电路和吸收电路应布置在同一个PCB板上， 同时在靠近IGBT的GE间加双向稳压管， 以箝位引起的耦合到栅极的电压尖峰。