参照BQ2013H芯片手册，可以作以下设置：初始容量PFC值2500 mAh×0．01 Ω=25 mVh。
可编程引脚设置如表2所列，其中H为高电平，Z为高阻，L为低电平。
3 软件设计
3．1 HDQ通信协议
BQ2013H与单片机STC89C52之间通过HDQ串行总线通信。HDQ通信采用单总线、开漏输出接口，该接口需要接一个上拉电阻，使用一种基于命令的通信协议。主机发送一个命令字节到BQ2013H芯片，这条命令指示芯片存储接下来的8位数据到指定寄存器，或从指定寄存器输出8位数据。数据传送的作大速率为5 Kb／s，命令或数据字节的最低有效位先传送。命令字节的前7位是寄存器地址，最后1位是读／写位，一个典型的读周期数据格式如图5所示。在一个写周期，地址位或数据位之间的时段里，HDQ总线可以保持高电平。在一个读周期，当指定所读寄存器地址的最后1位传送完后，还需要等待指定的响应时间tRSPS，芯片才输出数据到总线。响应时间tRSPS是指从读写位的下降沿到芯片返回数据的第1个数据位的下降沿这个时间段，因此包括整个读／写位时间，因为最小的响应时间等于最小的位周期时间，这就意味着第1个数据位可以在命令R／W位一结束就开始传送。有时该通信协议被认为是HDQ8协议，用以区分像bq2060和bq2063器件所用的HDQ16协议。HDQ16与HDQ8协议的位时序是相同的，只是读写的是16位数据而不是8位。HDQ16协议的命令字仍然是一个7位的地址加一个读写位。
3．2 HDQ复位
如果HDQ引脚保持低电平时间超过最小间断时间190μs，通信将会自动复位。如果单片机没有从BQ2013H取得期望的响应或单片机需要重新开始通信，单片机将会使HDQ引脚保持低电平，并且产生一个间断来复位通信，下次通信将在最小的间断恢复时间40μs后开始。间断和间断恢复时序如图6所示。HDQ可靠通信的设计方法是在每次通信前先有一个间断，确保在每次通信前系统复位，以此来降低错误数据的读写几率。
3．3 HDQ读写时序
BQ2013H在经过一个tB间断时间和tBR间断恢复时间后，单片机开始往HDQ总线上发送命令字节与数据字节。每位的传输分3步完成：第1步开始传输位，由单片机或BQ2013H将HDQ引脚置成低电平tSTRHB时间；第2步是传输数据位，数据位在tDSUB时间内有效，数据位应该保持tDHV时间，让单片机或BQ2013H读写；第3步传输停止，通过将HDQ引脚置成高电平来实现，停止时间由tSSUB与tCYCHB共同决定，时序时间均以开始传输的负电平边缘算起。HDQ读／写时序如图7所示。
3．4 HDQ读／写程序
单片机STC89C52可以控制BQ2013H芯片，向BQ2013H写控制字或从BQ2013H读取相关数据。下面是单片机(晶振11．0592 MHz)向BQ2013H写控制字的子程序：
结语
本文讨论的采用BQ2013H监测蓄电池电量的方法，可以实时有效地监测蓄电池的电量，外围电路简单，程序简短。由单片机通过HDQ协议控制BQ2013H进行数据的读／写，采集到的数据经过处理，实现蓄电池电量的在线监测。
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