开关电源设计全过程
3.3.34 R19(假负载): 适当的使用假负载可使线路更稳定,但假负载的阻值不可太小,否则会影响效率,使用时亦须注意是否超过电阻的额定值(一般设计只使用额定瓦数的一半).
3.3.35 L3,C12(LC滤波电路): LC滤波电路为第二级滤波,在不影响线路稳定的情况下,一般会将L3 放大(电感量较大),如此C12可使用较小的电容值. 4 设计验証:(可分为三部分) a. 设计阶段验証 b. 样品制作验証 c. QE验証 4.1 设计阶段验証 设计实验阶段应该养成记录的习惯,记录可以验証实验结果是否与电气规格相符,以下即就DA-14B33设计阶段验証做说明(验証项目视规格而定).
4.1.1 电气规格验証:
4.1.1.1 3843 PIN3脚电压(full load 4A) : 90V/47Hz = 0.83V 115V/60Hz = 0.83V 132V/60Hz = 0.83V 180V/60Hz = 0.86V 230V/60Hz = 0.88V 264V/63Hz = 0.91V 4.1.1.2 Duty Cycle , fT: 4.1.1.3 Vin(min) = 100V (90V / 47Hz full load)
4.1.1.4 Stress (264V / 63Hz full load) : Q1 MOSFET: 4.1.1.5 辅助电源(开机,满载)、短路Pin max.:
4 >4.1.1.6 Static (full load) Pin(w) Iin(A) Iout(A) Vout(V) P.F. Ripple(mV) Pout(w) eff 90V/47Hz 18.7 0.36 4 3.30 0.57 32 13.22 70.7 115V/60Hz 18.6 0..31 4 3.30 0.52 28 13.22 71.1 132V/60Hz 18.6 0.28 4 3.30 0.50 29 13.22 71.1 180V/60Hz 18.7 0.21 4 3.30 0.49 30 13.23 70.7 230V/60Hz 18.9 0.18 4 3.30 0.46 29 13.22 69.9 264V/60Hz 19.2 0.16 4 3.30 0.45 29 13.23 68.9 4.1.1.7 Full Range负载(0.3A-4A) (验証是否有振荡现象)
4.1.1.8 回授失效(输出轻载) Vout = 8.3V90V/47Hz Vout = 6.03V264V/63Hz
4.1.1.9 O.C.P.(过电流保护) 90V/47Hz = 7.2A 264V/63Hz = 8.4A 4.1.1.10 Pin(max.) 90V/47Hz = 24.9W 264V/63Hz = 27.1W 4.1.1.11 Dynamic test H=4A,t1=25ms,slew Rate = 0.8A/ms (Rise) L=0.3A,t2=25ms,slew Rate = 0.8A/ms (Full) 90V/47Hz 264V/63Hz
4.1.1.12 HI-POT test: HI-POT test一般可分为两种等级: 输入为3 Pin(有FG者),HI-POT test为1500Vac/1 minute.Y-CAP使用Y2-CAP 输入为2 Pin(无FG者),HI-POT test为3000Vac/1 minute.Y-CAP使用Y1-CAP DA-14B33属于输入3 PIN HI-POT test 为1500Vac/1 minute. 4.1.1.13 Grounding test: 输入为3 Pin(有FG者),一般均要测接地阻(Grounding test),安规规定FG到输出线材(输出端)的接地电阻不能超过100MΩ(2.5mA/3 Second). 4.1.1.14 温升记录
设计实验定案后(暂定),需针对整体温升及EMI做评估,若温升或EMI无法符合规格,则需重新实验.温升记录请参考附件,D5原来使用BYV118(10A/40V Schottky barrier 肖特基二极管 ),因温升较高改为PBYR1540CTX(15A/40V). 4.1.1.15 EMI测试: EMI测试分为二类: Conduction(传导干扰)
Radiation(幅射干扰) 前者视规范不同而有差异(FCC : 450K - 30MHz,CISPR 22 :150K - 30MHz),前者可利用厂内的频谱分析仪验証;后者(范围由30M - 300MHz,则因厂内无设备必须到实验室验証,Conduction,Radiation测试资料请参考附件) .
4.1.1.16 机构尺寸: 设计阶段即应对机构尺寸验証,验証的项目包括 : PCB尺寸、零件限高、零件禁置区、螺丝孔位置及孔径、外壳孔寸….,若设计阶段无法验証,则必须在样品阶段验証.
4.1.2 样品验証: 样品制作完成后,除温升记录、EMI测试外(是否需重新验証,视情况而定),每一台样品都应经过验証(包括电气及机构尺寸),此阶段的电气验証可以以ATE(Chroma)测试来完成,ATE测试必须与电气规格相符. 4.1.3 QE验証: QE针对工程部所提供的样品做验証,工程部应提供以下交件及样品供QE验証.
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