开关电源设计：上网本处理器电源设计要点

由于更高的集成度、更快的处理器运行速度以及更小的特征尺寸，内核及I/O电压的负载点(POL)处理器电源设计变得越来越具挑战性。处理器技术的发展必须要和POL电源设计技术相匹配。对当今的高性能处理器而言,5年或10年以前使用的电源管理解决方案可能已不再行之有效。

因此，当为德州仪器(TI)的DaVinci数字信号处理器(DSP)进行POL电源解决方案设计时，充分了解基本电源技术可以帮助克服许多设计困难。本文以一个基于TI电源管理产品的电源管理参考设计为例，讨论一系列适用于DaVinci处理器的电源去耦、浪涌电流、稳压精度和排序技术。

大型旁路去耦电容

处理器所使用的全部电流除了由电源本身提供以外，处理器旁路和一些电源的大型电容也是重要来源。当处理器的任务级别(levelofactivity)急剧变化而出现陡峭的负载瞬态时，首先由一些本地旁路电容提供瞬时电流，这种电容通常为小型陶瓷电容，可快速响应对负载变化。

随着处理速度的增加，对于更多能量存储旁路电容的需求变得更为重要。另一个能量来源是电源的大电容。为避免出现稳定性问题，一定要确保电源的稳定性，且可利用增加的旁路电容正确地启动。因此，必须保证对电源反馈回路进行补偿以适应额外的旁路电容。电源评估板(EVM)在试验台上可能非常有效，但在负载附近增加了许多旁路电容的情况下，其性能可能会发生变化。

作为一个经验法则，可以通过在尽可能靠近处理器电源引脚的地方放置多个0603或0402电容(60用于内核电压，而30则用于DM6?43的I/O电压)，将DaVinci电源电压的系统噪声进行完全去耦。更小型的0402电容是更好的选择，因为其寄生电感较小。较小的电容值(如560pF)应该最接近电源引脚，其距离仅为1.25cm。其次最接近电源引脚的是中型旁路电容(如220nF)。TI建议每个电源至少要使用8个小型电容和8个中型电容，并且应紧挨着BGA过孔安装(占用内部BGA空间，或者至少应在外部角落处)。在更远一点的地方，可以安装一些较大的大型电容，但也应该尽可能地靠近处理器。

浪涌电流

具有大旁路电容的电源存在启动问题，因为电源可能无法对旁路电容充电，而这正是启动期间满足处理器要求所需要的。因此，在启动期间，过电流可能会引起电源的关断，或者电压可能会暂时下降(变为非单调状态)。一个很好的设计实践是确保电压在启动期间不下降、过冲或承受长时间处于高压状态。为减少浪涌电流，可通过增加内核电压电源的启动时间，来允许旁路电容缓慢地充电。许多DC/DC调节器都具有独特的可调软启动引脚，以延长电压斜坡时间。如果调节器不具有这种软启动引脚，那么可利用一个外部MOSFET以及一种RC充电方案，从外部对其进行实施。

本文推荐使用一种带有电流限制功能的DC/DC调节器，来帮助维持单调的电压斜坡。采用软启动方案有助于满足DaVinci处理器的排序要求。

上电排序

越来越多的处理器厂商提供推荐的内核及I/O上电排序的时序准则。一旦获知时序要求，POL电源设计人员便可选择一种适当的技术。对双路电源上电和断电的方法有很多种，其中顺序排序和同时排序是最为常用。

当在内核和I/O上电之间要求一个较短的毫秒级时间间隔时，可以采用任何顺序实施顺序排序。实施顺序排序的一种方法是只需将一个稳压器的PWERGOOD引脚连接至另一个稳压器的ENABLE引脚。当内核和I/O电压差在上电和断电期间需要被最小化时，就需要使用同时排序。为实施同时排序，内核和I/O电压应彼此紧密地跟踪，直到达到较低的理想电压电平。此外，较低的内核电压达到了其设定值要求，而较高的I/O电压将可以继续上升至其设定值。

在自升压模式中，DaVinci处理器要求对CVDD和CVDDDSP内核电源进行同时排序。在主机升压模式中，CVDD必须斜坡上升，并在CVDDSP开始斜坡上升以前达到其设置值(1.2V)。作为一个最大值，CVDDDSP电源必须在关闭(开启)“始终开启”和DSP域之间的短路开关以前上电。可以以任何顺序启动I/O电源(DVDD18、DVDDR2和DVDD33)，但必须在CVDD电源100ms的同时达到设定值。

稳压精度

影响电源系统的电压容差有几个因素，其中电压基准精度是最重要的一个因素，可在电源管理器件的产品说明书中找到其规范。新型稳压器要求达到±1%的精度或更高的温度基准精度。一些成本较低的稳压器可能要求±2%或±3%的基准电压精度。请在产品说明书中查看稳压器厂商的相关规范，以确保稳压精度可以满足处理器的要求。另一个影响稳压精度的因素是稳压器外部反馈电阻的容差。

在要求精确容差值的情况下，推荐使用±1%的容差电阻。另外，在将这种电阻用于编程输出电压时，将会带来额