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一种高电源抑制的基准源的设计

时间:08-03 来源:互联网 点击:

同工艺角下的PSR的仿真结果,本电路在不同工艺角下都能在高电源干扰的芯片中正常工作。

3 结论
本文通过结合LDO与Brokaw基准核心,设计出了高PSR的带隙基准,此带隙基准输出的1.186 V电压的低频PSR为-145 dB,最高PSR为-36 dB,温漂可以达到7.5 ppm,适用于电子镇流器芯片。本设计还优化了启动部分,使新的带隙基准可以在短时间内顺利启动。此电路根据需要还可以修改基准核心中的Rc3、Rc4,采用多段电阻分压方式,以输出多种参考电压,方便灵活定制芯片。

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