基于MC34063的大电流负电源设计

　　由表1可以看出：
　　(1)不外接功率管时，电源输出电流较小，外接功率管可以明显增加电源带负载的能力。
　　(2)外接双极型晶体管TIP127时比功率MOSFET NTB2506效率低，带负载能力差。
　　(3)NTB2506栅极和源极之间的电阻对电源的效率和带负载能力有很大影响，因此，选择合适的栅-源之间的电阻可以显著改善电源的性能。
　　功率MOSFET栅极驱动电阻的改变，对栅极驱动波形的影响如图3所示。其中，图3(a)驱动电阻为100 Ω，图3(b)为500 Ω，图3(c)为5 kΩ，且图3(c)输出电流已经达不到1 A。从3幅图的比较可以得出，栅极驱动波形随着驱动电阻的改变而改变，因此，选择合适的栅极驱动电阻可以明显改善驱动波形，减小功率MOSFET的损耗，提高效率。

本文采用MC34063和NTB2506设计的负电源电路，具有输出电流大、成本低、效率较高的特点。实验室长时间运行表明，在大电流输出时，供电电压稳定，芯片温度不高，纹波电压在可以接受的范围内，特别适用于对负电源功率要求较大、体积要求较小的系统中。