选择高压场效应管实现节能的技巧

DS(on)大于1Ω，高级平面工艺，例如,UniFET（II）、QFET及CFET则是较好的解决方案。这很大程度上是因为较低的RΦJC有助于器件保持较低温度。对于高RDS(on)的需求，由于边缘终端的缘故，电荷反射型器件的有缘区在整个片基区域中的比例相对较小，而平面工艺的MOSFET，即使硅片稍大，也是较为便宜的工艺，而两者封装成本大至相同。

对于需要反向恢复的应用，在RDS(on)值与RΦJC值之外还需考察二极管特性，这一点是十分重要的。采用高级平面工艺与电荷平衡工艺的MOSFET器件均可具备改进体二极管的特性。