选择高压场效应管实现节能的技巧
时间:09-10
来源:互联网
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DS(on)大于1Ω,高级平面工艺,例如,UniFET(II)、QFET及CFET则是较好的解决方案。这很大程度上是因为较低的RΦJC有助于器件保持较低温度。对于高RDS(on)的需求,由于边缘终端的缘故,电荷反射型器件的有缘区在整个片基区域中的比例相对较小,而平面工艺的MOSFET,即使硅片稍大,也是较为便宜的工艺,而两者封装成本大至相同。
对于需要反向恢复的应用,在RDS(on)值与RΦJC值之外还需考察二极管特性,这一点是十分重要的。采用高级平面工艺与电荷平衡工艺的MOSFET器件均可具备改进体二极管的特性。
在需要最低RDS(on)与快速切换的应用中,新的平衡型器件,例如SupreMOS与SuperFET,可提供最大的优势。一般而言,SuperFET器件在RDS(on)要求为0.5~1Ω之时优势最大。而SuperMOS在RDS(on)低于0.5Ω时优势明显。这一差异又是由于热阻的作用
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