优化高电压IGBT设计方案
时间：10-15
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z）进行优化。在10A下的典型Vce（on）为1.4V。针对低正向降压及反向漏电流，跨越低侧IGBT的协同封装二极管已经优化了，以在续流和反向恢复期间把损耗降到最低。
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