详解硅光子技术制造细薄膜的LED阵列

于DLC细薄膜，以及各种技术层上很大的差异性。图16显示的被链接于DLC细薄膜上的1200dpi附生细薄膜LED数组的If-PLED特性。图16也显示被链接于各种技术层的附生细薄膜LED数组的If-PLED特性。

　　附生细薄膜LED数组的射极光功率，于DLC是等于各种技术层，但被想成较高的LED电流范围时有较高于各种技术层。附生细薄膜LED数组的PLED于DLC细 薄膜于 If 约为12mA（电流密度约为20kA/cm2）时到达最大的PLED，且减少If约为12mA。附生细薄膜LED数组的PLED于很少的If，各种技术层到达最大的PLED，且比 If 快速减少约为3mA 。

　　附生细薄膜 LED （Ts） 的温度被初步评量，量测决定于来自于附生细薄膜LED射极光的波长分布的If。初步模拟表示Ts约为50℃甚至有一个十分高的电流密度约为20kA/cm2（If 约为12mA），对于附生细薄膜LED可被连结DLC细薄膜于硅基座上；Ts也早已增加达约100℃于电流密度为5kA/cm2 （If 约为3mA）时，其附生细薄膜LED于各种技术层。它证明连结的附生细薄膜LED于DLC细薄膜上有较高的热流传导，保证较高的热传导特性，以及有较好的LED特性；甚至于较高的LED电流密度范围时。

　　结语

　　制造较高密度的附生细薄膜LED数组，其特性为3度空间可透过EFB技术整合有CMOS IC驱动器。1200dpi附生细薄膜LED数组也能透过EFB被整合于IC驱动器。附生细薄膜LED数组被整合于IC驱动器中显示有好的LED特性以及高可靠。此一EFB技术提供有整合光以及CMOS装置并保证可于硅光子技术所完成。

　　较高的密度的2D整合附生细薄膜LED可被完成于玻璃与可挠性的塑料基座上。2D LED数组的数组厚度可尽可能的细为21.2μm，并能透过EFB被制造于相异的原料基座上。测试结果也说明EFB技术可以被应用于相异的原料装置的超高密度整合。本研究为第一个提出也附生细薄膜LED可以直接的连结于DLC细薄膜成形于硅基座上。附生细薄膜LED数组 链接于DLC细薄膜的测试显示，不同的链接特性有小的以及更好的LED特性可以被建构。EFB技术将提供新的高密度被整合装置生产的改格且于系统中包含有相异的材料，并被期望于为来有更新的电子组件。