手机充电电路主流方案解析

　　虽然目前市面上的手机品牌众多，但其充电回路大致相同，都采用基于PMOS的充电电路。使用PMOS时易于以较低电压控制其开关，而手机主板上电压多为3V左右，因此能轻松实现开关控制。另外，MOS管是电压型控制器件，相对三极管而言，功耗也小很多。

　　常见的手机充电电路可分为如下三种：

　　1、 PMOS+肖特基二极管：MTK和展讯平台采用此种方式。PMOS控制充电的开关和充电电流的大小，肖特基二极管防止电池通过PMOS的内部寄生二极管倒灌电流，且正向导通时其正向压降相对普通二极管要小。

　　推荐产品：BF9024SPD-M（8Pin）、BF9024SPD-MS（6Pin）：主要参数请参考表一。

　　表一.BF9024SPD系列主要参数

　　图一 PMOS+二极管

　　图二 分离PMOS和二极管

　　BF9024SPD-M（8Pin）、BF9024SPD-MS（6Pin）是针对此应用的功率器件，如图一。为减少长时间充电时MOS发热，比亚迪微电子在封装上将其底部散热片外露，以便更好散热。不要小瞧此散热片，它不仅能提高充电时散热效率，有助于提高产品可靠性，而且能使电池充电更充分。因为MOS内阻是正温度系数，即温度越高时，其内阻越大，在50℃时，温度每上升10℃，其内阻会上升约5%，有此散热片可加速器件散热，使其内阻上升控制在3%以下，在充电时可使电池充电电压比同类产品高出约50mV。

　　我们记录了BF9024SPD-M在MTK6223平台上应用时，电池电压从2.8V充至稳定的4.185V时的2000多个数据，从约60mA的预充电电流到恒流充电的550mA电流，再到充满时约50mA的脉冲电流的整个过程中，监控的电池电压最终稳定在4.185~4.195之间，请参考图三；当用USB端口充电时，满充时电池电压稳定在4.188V，请参考图四。整个充电过程中，电池满充电压一致性非常好，且整个充电曲线一致性也非常好。

　　图三 BF9024SPD-M应用于MTK6223平台充电曲线—适配器充电

　　图四 BF9024SPD-M应用于MTK6223平台充电曲线—USB端口充电

　　虽然目前市面上的手机品牌众多，但其充电回路大致相同，都采用基于PMOS的充电电路。使用PMOS时易于以较低电压控制其开关，而手机主板上电压多为3V左右，因此能轻松实现开关控制。另外，MOS管是电压型控制器件，相对三极管而言，功耗也小很多。

　　常见的手机充电电路可分为如下三种：

　　1、 PMOS+肖特基二极管：MTK和展讯平台采用此种方式。PMOS控制充电的开关和充电电流的大小，肖特基二极管防止电池通过PMOS的内部寄生二极管倒灌电流，且正向导通时其正向压降相对普通二极管要小。

　　推荐产品：BF9024SPD-M（8Pin）、BF9024SPD-MS（6Pin）：主要参数请参考表一。

　　表一.BF9024SPD系列主要参数

　　图一 PMOS+二极管

　　图二 分离PMOS和二极管

　　BF9024SPD-M（8Pin）、BF9024SPD-MS（6Pin）是针对此应用的功率器件，如图一。为减少长时间充电时MOS发热，比亚迪微电子在封装上将其底部散热片外露，以便更好散热。不要小瞧此散热片，它不仅能提高充电时散热效率，有助于提高产品可靠性，而且能使电池充电更充分。因为MOS内阻是正温度系数，即温度越高时，其内阻越大，在50℃时，温度每上升10℃，其内阻会上升约5%，有此散热片可加速器件散热，使其内阻上升控制在3%以下，在充电时可使电池充电电压比同类产品高出约50mV。

　　我们记录了BF9024SPD-M在MTK6223平台上应用时，电池电压从2.8V充至稳定的4.185V时的2000多个数据，从约60mA的预充电电流到恒流充电的550mA电流，再到充满时约50mA的脉冲电流的整个过程中，监控的电池电压最终稳定在4.185~4.195之间，请参考图三；当用USB端口充电时，满充时电池电压稳定在4.188V，请参考图四。整个充电过程中，电池满充电压一致性非常好，且整个充电曲线一致性也非常好。

　　图三 BF9024SPD-M应用于MTK6223平台充电曲线—适配器充电

　　图四 BF9024SPD-M应用于MTK6223平台充电曲线—USB端口充电

　　由于BF9024SPD-M与BF9024SPD-MS底部散热片与PMOS的漏极（D极）、肖特基二极管的负极（K极）相连，在设计时不能作为GND或与其它信号线相连。请在PCB Layout时，注意其底部不要有接地PAD或其它信号走线，对应Layout，请参考下图五、六。

　　此两产品已被展讯平台认证，您可参考展讯的原始参考设计BOM。

　　图五 BF9024SPD-M Layout参考

　　图六 BF9024SPD-MS Layout参考

　　在低成本应用中，可使用分离的MOS管和肖特基二极管来代替集成器件，如图二。BF92301P的小封装能满足您此类设计需求，其主要参数请参考表二。

2、 PMOS+ PMOS：TI和部分MTK平台、双电池平台中采用这种方式。此种应用是PMOS+肖特基二极管应用的改良。在PMOS+肖特基二极管应用的充电回路中，肖特基二极管因持续导通会占用0.4V以