为高性能系统挑选合适的低压降稳压器的考量
大部分系统设计工程师可能都会同意线性稳压器是众多稳压器之中最容易使用的一种，而且由于这个原因，也最受系统设计工程师欢迎。但新一代的系统要求极为严格，因此只采用线性稳压技术的高性能系统会受到较多的制约，以致很难充分发挥其性能。这个发展趋势带出以下几个问题：系统设计工程师构思新产品时可以获得哪一方面的技术支持？采用线性稳压技术的直流/直流功率转换系统有什么优缺点？是否比采用其他线路布局的功率转换系统优胜？技术上又有什么局限？若以同一应用作比较，哪一类的低压降稳压器有较高的效率？不同厂商的线性稳压器是否有高下优劣之别？
看起来这些问题好像非常简单，其实问题的答案比我们想象复杂，因为需要考虑的重要因素及技术参数非常多，加上有关因素的重要性经常被人忽略，因此系统设计工程师做出取舍时必须小心谨慎。由于新产品的供电要求越趋严格，电路板的面积也不断缩小，加上系统必须保证能发挥最基本的性能，因此我们必须为新产品挑选合适的低压降稳压器。好的低压降稳压器可以解决很多应用上的问题；若稳压器的选择不当，整个设计根本就无法落实执行。
散热、效率及封装
线性稳压器的输入功率并非完全能从输出端口输出，两者
的相差都会转为热能耗散掉。功率耗散 （Pd） 可以根据以下的公式粗略估算：
Pd = （Vin – Vout） * Iout
若要更精确计算功率耗散，我们必须将 Vin * Iq 这个变项计算在内。功率耗散总额可以根据以下公式计算出来：
Pd = （Vin – Vout） * Iout + Vin * Iq
若按照上述两条公式，再将 5 伏 （V） 电压调低至 1.5 伏 （静态电流为 300mA），那么线性稳压器耗散为热能的功率不会少于：
（5 – 1.5） * 0.35 = 1.225W
究竟这个功耗量应视为高还是低呢？有关这个问题我们不可过早做出判断，我们必须根据芯片封装以及电路板的类型与面积 （若采用表面贴装封装），找出这些变项与温度上升幅度之间的函数关系，从而计算 1.225W 的功率耗散究竟会令温度上升多少。这样我们才可作出一个较为全面的判断，确定 1.225W 的功率耗散是高还是低。系统设计工程师一般都喜欢采用最小巧的封装，但这类封装的热阻值非常高，因此散热能力也最差。
标准 SOT-23 及 SC-70 等小巧封装的 qJA 值介于 200度/W 与 400度/W 之间。体积不大不小的 SOT-223、TO-252 （DPAK） 及其它无掩蔽焊球 SMD 封装 （包括 PSOP 及 ETSSOP） 的 qJA 值则介于 50度/W 与 90度/W 之间。一般来说，只有较大的封装 （例如 TO-220 及 TO-263） 才有较理想的 qJA 值，其数值介于 40度/W 与 60度/W 之间。大致上，这是封装大小与温度上升幅度之间的变化规律，适用于除 LLP之外的所有封装。由于 LLP封装的内部结构较为特别，例如晶片以面向上、底朝下的方式置于金属面，而金属面则设于封装底部，并无任何掩蔽，因此这种超小型封装的热阻极低，甚至可媲美较大的封装，是目前唯一一种热阻值这样低的超小型封装。
上述数字对系统温度有什么影响？若功率耗散为 Pd = 1.225W，理论上 2.85mm x 3mm 的 SOT-23 封装的温度至少会上升 300度。6.6mm x 9.7mm 的 DPAK 封装的受热温度会比环境温度高 80度，只有 10.4mm x 14.35mm 的 TO-263 封装或 2.9mm x 3.3mm 的 LLP 封装才有较小的温度升幅 （50度）。系统设计工程师若懂得如何选择合适的线性稳压器封装，便可大致知道是否需要改用开关稳压器。
静态电流 （Iq） 及互补金属氧化半导体 （CMOS） 低压降稳压器
静态电流 （Iq） 也称为操作电流或接地电流，是设计低功率、低操作电流及以电池供电的电子产品时需要考虑的其中一个重要因素。每当我们谈及 1A、2A 或 3A 恒流负载时，我们会否忽略静态电流所发挥的重要作用？系统设计工程师很多时都忽略这个问题 – 其实无视静态电流的重要性可能要付出很大的代价。系统的静态电流可能会随着负载电流的增加而大幅上升，确实升幅取决于低压降稳压器所采用的工艺技术。以双极低压降稳压器为例来说，3A 负载电流的静态电流可能超过 200mA。此外，CMOS 低压降稳压器的静态电流极低，而且不受负载大小影响，若满载电流为 3A，静态电流一般只有 3mA 至 15mA；若负载电流为 1A/2A，静态电流则介于 100A 与 6mA 之间。（参看图 1 所载有关供电电流与负载电流的函数关系图，图中比较的两款 150mA 低压降稳压器分别采用 CMOS 及双极工艺技术制造。）若输出电流为 3A，静态电流是 200mA 还是 6mA 的问题究竟是否这样重要？正如上文所说，功率耗
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