微波EDA网,见证研发工程师的成长!
首页 > 硬件设计 > 电源设计 > 保护PoE系统不受闪电浪涌和其它电气伤害

保护PoE系统不受闪电浪涌和其它电气伤害

时间:05-05 来源:互联网 点击:

不兼容100和1000BaseT以太网系统,原因是它们的关断电阻与迟滞恢复特性。PTC在多次工作后,将不会保持完美的匹配。

闪电防护对闪电保护的选择取决于应用的预期暴露情况。对于室内不严苛的应用,可以在RJ-45接头与以太网PHY芯片组之间,在次级位置和三级位置使用TVS二极管阵列(图3)。闪电所致浪涌事件会在纳秒时间内激活TVS1,从而提供一个箝位功能,使有害浪涌远离敏感的以太线路驱动电路。TVS2用于箝位在变压器上耦合的残余浪涌。如果要用更强大的方案,可以为每个线对使用一个TVS二极管阵列;否则,用一个TVS阵列就可以保护两个线对,如TVS2那样。电源故障事件(包括长期的50Hz与60Hz波形)可以在TVS器件提供了一个电流路径后,激活1.25A熔丝F1~F4。

PD保护 

因为无法知晓在以太网装设时,某个PSE会使用Mode A还是Mode B,因此必须为PD端的所有线对提供57V~90V的保护,并且所有都加强到100V以上。浪涌保护器件的触发电压应高于电缆上可能出现的任何稳态电压。PoE电压可以达到57V,因此器件在低于此电压时不得触发。

这种方案还能防止在电源分类测试或阻性电源恢复测试期间,浪涌保护器的导通。此外,有些电源系统提供48V,而有些提供-48V,因此保护器件不得有极性问题。这种情况下,设计人员通常会采用双向可控硅的浪涌保护器件。只有当有效电流低于其维持电流参数时,固态短路器才会复位。这种结构不是问题,因为它会从PSE拉出超额电流,从而在过流负荷情况下将PSE临时关断,并且它能够使可控硅浪涌保护器复位。

图4给出了一个符合GR-1089的方案,用于室外环境的100和1000BaseT应用的过压与过流事件,无论是源于闪电浪涌还是电源故障。两个数据对引线中的熔丝提供了所需要的过流保护,它对闪电导致的第一级GR-1089事件过压浪涌不敏感。双向可控硅浪涌保护器(IC1~IC4)或SIDACtor(硅交流

二极管)器件提供了一个过压短路器保护方案,满足GR-1089、Issue 6、端口类型3和5的第一级与第二级闪电浪涌要求。


图4,一种针对室内外环境10、100和1000BaseT应用中过压与过流,并符合GR-1089的方案,同时解决了闪电浪涌和电源故障事件。对于10和100BaseT,只有两个数据线对需要这种保护。

两根用于IC1~IC4的偏置线连接到任何可用的电压轨,这些电压轨小于保护器件的导通阈值电压,用于稳定它们的关断态电容,有助于保持信号的完整性。对于一个48V的PoE,双向可控硅浪涌保护器件可以有58V的最小阈值电压。对于具有高于57V PoE电压,不满足IEEE 802.3的系统,就需要有更高的最小阈值保护器件。

第三种方案(或叫芯片端方案)是一个TVS二极管压轨箝位阵列TVS3,它为耦合变压器后面提供了额外的保护。可以采用Smith在一项美国专利中描述的Bob Smith终结法。Bob Smith终结是一种在多对导体系统上(各对之间以一种一致的方式相互关联)减小纵向或共模电流的方法。如果采用这种方法,则应对各个终结做容性隔离,这样它们就不会成为PoE电源的负载。这种金属/差分和纵

向/共模的联合保护方案要求在发射和接收线对的两端都有一个熔丝。对于较低数据速率的以太网(如10BaseT)的无纵向模式方案可能只需要每对一只熔丝。对于100和1000BaseT系统,慎重的方法是在一个线对的两端都置放一个完全相同的熔丝元件,以维持回路的平衡(图4)。

如果一个10BaseT以太网系统,保护用可控硅器件的第3和第6脚未接地,而是保持开路,则允许采用单熔丝方案。出于对电缆放电事件的保护因素,IEEE 802.3并未严格允许耦合变压器初级端的共模保护,所以可控硅浪涌保护器件通常不接地。因此,对于线路端的纵向/共模保护,大多数以太网方案取决于耦合变压器的隔离额定值,而耦合变压器次级端的三级位置可以连接到以太驱动器的基准地上。

TVS3是一个2.5V的TVS二极管阵列,它为耦合变压器芯片端提供三级保护。这种方案满足GR 1089-

Core,Issue 6对建筑内和建筑外PoE的浪涌与电源故障的要求。可以用一只0.3A的PTC器件代替熔丝,以满足ITU K.20/21增强版和基本版的要求,它包括对10BaseT以太网的调整条款。不过,对于100和1000BaseT,要采用一对适当尺寸的精密(1%)电阻,强制做次级与初级保护器之间的协调。

图5给出了数据对保护以及PD中心抽头电源连接保护,它符合对PD系统的Mode A和Mode B PoE电源要求。PD Mode A和Mode B PoE均由一个二极管桥和一个1000W TVS器件保护。对于更严酷的浪涌环境,现在也有更强大的1500W和3000W方案,如管理标准ITU K.20 Enhanced或GR-1089 Port Type 5所描述的。


图5,一个PoE系统保护实例同时包括了数据对保护与PD电源连接保护。对PD端电源部分的TVS保护同时满足Mode A和Mode B PoE

Copyright © 2017-2020 微波EDA网 版权所有

网站地图

Top