CMOS器件抗静电措施的研究
时间:06-14
来源:互联网
点击:
因为静电不是直流电,是很快可以吸收而消除的,如果有几百伏或几千伏的静电接触,如图5中CMOS的输入端、输出端或电源端,那么D1、D2、D3和D4立刻击穿导通,把静电吸收掉。
3 结束语
通过上述几种方法,能够有效的消除静电对CMOS器件的损伤,不过都是以增加元器件的数量以及牺牲输入信号的质量为代价。但如果元器件选用得当,在多数情况下只会牺牲很少的输入信号质量,而使CMOS器件免受静电损伤。
- 应用于新能源发电的双向DC/DC变流器研究及仿真验证(01-26)
- 应用于生活和生产的二相混合步进电机驱动研究(12-15)
- 多故障容错功能的新型逆变器拓扑研究 可靠性模型分析(12-04)
- 宽频化与小型化微带天线的研究与设计(04-24)
- 一种新型风电电压跌落检测方法的研究(01-23)
- 不同种类电容的ESR曲线研究(12-30)