高效能低电压Power MOSFET及其参数与应用

品2高7%；在图8中，OptiMOS？的温升，约可较OptiMOS？低2～3℃，较同类产品1低8～9℃，较同类产品2低20～25℃。

　　图7 效率比较图 fsw＝400KHZ

　　图8 温升比较图 fsw＝400KHZ

　　结论

　　选用Power MOSFET，除了最大耐压、最大电流能力及导通电阻外，尚有其他在实际应用时需要注意的参数，如传导、栅极电荷、崩溃、温度的影响。

　　在现今对电子产品节能及高效率的规格要求趋势下，除新式转换器的开发及使用外，使用高效能的功率半导体可以有效缩短这些相关产品的电源供应装置的开发时程，并能轻易达到系统之规格需求。