用于以太网供电的直流/直流转换器
时间:08-02
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开关MOSFET 构建参考设计 测得的效率 结论
为了获得最高的效率和易于驱动,显而易见的解决方案是从 PWM IC 的输出引脚直接驱动一个 N 沟道Mosfet,因为这样不需要使用外部驱动器。Mosfet的选择应基于开关损耗和传导损耗之间的折衷来确定,以使总损耗达到最小。本例中使用的200V Mosfet为SO8封装的飞利浦 PHK4NQ20T。该200V Mosfet提供了大于80%的电压降额因子来提高可靠性。由于在关闭时仅有相当小的电压尖脉冲和阻尼震荡,没有必要使用缓冲器,从而只有很少的浪费,并且电路设计得到简化。
按照图2构建了一个参考设计演示板,除了输入/输出引脚和测试点之外,全部采用表面安装元件。它用标准的两层1oz铜箔厚度的FR4 PCB制造。所有的功率元件在板的上层;下层包含大多数控制电路。
从图3可以注意到,由于采用降频和脉冲跳过技术,在低负荷特别是无负荷时获得了很高的效率。结果优于前面的估算;差异大部分来自对Mosfet损耗的保守估计。变换器在更低和更高输入电压情况下获得了相似的效率。
通过仔细挑选元件,可以为PoE供电设备构建一个不但具有简单和成本低的优势,同时还具有体积小和效率高等优点的直流/直流变换器。
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