剖析Flyback变换器的高频回路

摘要：通过深入分析Flyback变换器的高频回路，探讨如何通过选择布线技巧和适当的器件来减少高频回路对变换器性能的影响，如何权衡采取的布线措施与其它设计要求相互的冲突。

叙词：变换器 高频回路 布线技巧

Abstract：frequency loop of Flyback Convertor, the author discusses how to select wiring strategies and proper components to reduce the negative effect of high-frequency loop towards the function of convertors. The author also probes into ways to balance the adopted wiring strategies and other design strategies.

Keyword：Convertor, High-frequency loop, Wiring strategy

1. 引言

开关电源的噪声问题一直是工程师十分头痛的事情，比如样机不工作、有音频噪声、输出震荡或不稳定、次谐波震荡、保护电路总是误动作、输出纹波不正常和存在异常的噪声等。 为解决这些噪声问题，工程师一般需要花费大量的时间进行测试和调试，修改设计，或重新布线，那样会大大延误产品的开发进程。如果能找到一些通用的方法，在设计过程中预防或避免出现噪声问题，那就能大大地加快设计进程。

本文以应用最广的Flyback变换器为例，通过深入分析高频回路，探讨如何选择适当的器件和布线技巧，来减少高频回路对变换器性能的影响，如何权衡采取的布线措施与其它设计要求相互的冲突。

2. 深入分析高频回路

图1为简化的Flyback变换器的拓扑结构，主要包含有6个高频回路：(a)为原边功率回路A、(b)为副边高频功率回路B、(c)为钳位吸收回路C、(d)为驱动回路D、(e)为辅助绕组回路E，(f)为原边控制回路F。

图1 Flyback变换器中的高频回路:(a)原边高频功率回路A;(b)副边高频功率回路B;

(c)钳位吸收回路C;(d)驱动回路D;(e)辅助绕组回路E;(f)原边控制回路F。

2.1 原边功率回路A

图1(a) 所示，原边功率回路A由电容C2、变压器T1原边、晶体管Q1、采样电阻RS组成，当原边晶体管Q1导通时，实现变压器能量的存储。

A回路高频电流ip的成分十分复杂，尤其是开通时的电流尖峰(如图2所示)，它耦合了其它多个回路的高频信号。其中容易被忽略的是当原边晶体管Q1导通时，变压器寄生电容充电产生的电流和二极管D1、D2、D3的反向阻断恢复电流会耦合到A回路的高频电流ip中，对其它回路的影响后面详述。

图2回路A高频电流ip的波形

由于控制芯片的电流采样电阻也在回路A中，因此，原边晶体管的开通和关断产生的快速dv/dt和di/dt信号会对整体电路工作和EMI产生关键影响。因此，回路A的布线是至关重要的，回路面积要尽量小，一方面可以减小对其它回路的影响，另一方面也对EMI性能有帮助。由于高压电解电容C1的体积比较大，使得其很难靠近变压器T1和晶体管Q1，影响原边功率回路A面积的大小。而且高压电解电容C1高频性能也不好，通常会采用小的薄膜电容C2与高压电解电容C1并联来缩小回路A的面积。

2.2 副边功率回路B

如图1(b)所示，副边高频功率回路B，由变压器T1副边、整流二极管D2、高频电容C5和电解电容C6组成。当原边晶体管Q1关断后，变压器T1的储能通过其副边绕组和整流二极管D2向副边释放能量，对电容C5和C6充电。

回路B需要注意的地方，是变压器T1副边、整流二极管D2、高频电容C5和电解电容C6的布线回路面积，尤其是T1副边、D2和C5间的回路面积应尽量小，对二极管D2的关断电压过冲和EMI性能都有帮助。所以，C5一般采用高频性能很好的瓷片或薄膜电容，以克服电解电容的寄生参数的影响。

另外，值得一提的是，整流二极管D2的反向恢复电流和恢复时间，通常二极管的反向恢复电流和恢复时间在高温下会比常温高很多倍，甚至超过10倍，那样会引起很高的关断损耗，同时反向恢复电流会在原边晶体管Q1导通过程中耦合到原边A回路中，对控制芯片IC的电流采样信号产生影响，引起控制不正常。进一步讲，很高的关断损耗会进一步抬高二极管的温升，使得二极管的恢复特性进一步恶化，形成恶性循环。

2.3 钳位吸收回路C

如图1(c)所示，钳位吸收回路C由变压器T1原边、电容C3、电阻R1和二极管D1组成，用于钳位吸收变压器T1的漏感能量，减小晶体管Q1的关断电压尖峰。

在设计中，二极管D1的关断性能很容易被忽略。当变换器工作在电流连续模式时，二极管D1的关断性能对变换器性能的影响尤为突出。当晶体管Q1导通时，C1和C2上的输入电压加上C3上的钳位电压，会一起加到二极管D1上，从而引起很大的反向恢复电流(如图2所示)，导致D1很大的关断损耗。如果选用恢复特性差的快恢复二极管，会使D1的温升很高，即使在25℃环温下，甚至可以