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谐振串联型开关电容DC/DC变换器

时间:12-14 来源:互联网 点击:

摘要:根据向串联电容逐个充电能升压的原理,提出一种串联谐振型开关电容直流变换器,以谐振充电、恒流放电工作方式,降低了浪峰电流和变换损耗。根据RLC电路响应规律,采用近似值方法,解出了输出电压、变换效率和充电平均电流的数学表达式,可知这种谐振型变换器在一定范围内可通过调频方式调压,是一种体积小、效率高的直流变换器,并用实验验证了电路及其分析的正确性。
关键词:变换器;开关电容;谐振;调频调压

1 引言
开关电容直流变换器是以电容为储能元件的功率变换器,其体积小、重量轻、效率高且易于集成。但硬开关控制方式的开关电容变换器存在开关电流大、EMI问题严重等缺点。谐振型开关电容直流变换器对于开关损耗、EMI和电流应力等性能有所改善,但同时存在一个问题:对于升压式电路,电容充电时,该电容不能同时向负载放电,只能由输出电容向负载供电,变换器输出电流占空比就会较小,势必导致工作电流峰值变大,使阻性损耗变大。采用双相的电路结构可使电流占空比增大一倍,但功率器件数量也相应增加一倍。
根据向串联电容逐个充电能升压的原理,参考文献,在此提出一种谐振串联型开关电容DC/DC变换器,电路在对谐振电容充电的同时,能以恒流方式向负载放电,可增大工作电流占空比,从而减小谐振峰值电流,降低阻性损耗,提高变换效率。

2 主电路
图1示出谐振型2倍压主电路拓扑结构,Cs,L1为低压端EMI滤波元件,C3,L3为高压端EMI滤波元件。谐振电容C1,C2与C3间用L3相连。

电路工作波形如图2所示,工作分4个模态:
模态I VT1,VD1导通,VT2,VD2关断,电源电流通过L1,L2,VT1,VD1向C1谐振充电,同时电源和C2串联向负载供电,即图2波形T2时段;
模态II VT1仍然导通,VT2,VD2继续关断,由于VD1的反向阻断,VT1无电流,电路为C1,C2串联向负载放电,即图2波形t3~t4时段;
模态III VT1,VD1关断,VT2,VD2导通,电源向C2充电,同时与C1串联向负载供电,类同模态I;
模态IV 类同模态II。
模态II至模态IV,历经总时间为T3。
简言之,电源轮流向电容充电,电容串联升压输出。若T2=T3,则模态II和IV时间为零,则输入充电电流时间占空比为100%。

由于谐振型电路工作要基于电路的参数,当电路LC谐振参数确定后,T2通常不能改变。则调压方式只能是改变模态II和IV的时间,也即调频方式。当T2=T3时,为开关频率上限fh=1/(2T2),调节输出电压时,只能在fh上限频率处向下调节。

3 主电路特性分析
图1中EMI滤波元件参数通常远大于LC谐振元件,则电路中L1,L3的电流可认为恒流,则IL3与负载电流IL基本相等。充电时电流iL2经L2和开关器件对C1充电,有:
uL2+iL2(rs+Ron)+iC1RC1+uA=Ui-UVD, iL2=iC1+IL3 (1)
式中:uL2为L2的谐振电压;UVD为二极管导通压降;rs为电源等效内阻;Ron为VT1通态电阻;RC1为C1等效串联内阻。
由于L2的内阻很小,可忽略不计,则解得:
时,电路才能产生谐振,设
电路工作后,若不改变输入电压、负载和工作频率,△U’为一定值,对式(3)代入△U’设定值,当不同k值时,uA在t1~t2时段的面积S6’与S7’的对比如图3所示,发现约当k>1.5时,S6’和S7’相对于式(8)的第1项已相差不大。而图2 t0~t1和t3~t4时段的uA曲线只是图3曲线两边的延长部分,因此约在k>1.5时,图2的S6与S7也基本相等。

为尽量提高电路变换效率,通常Rs会很小,容易达到后>1.5,计算T2时段平均电压时,Uv到Up的曲线积分可用直线积分来代替,大大简化计算,则t0~t6的平均电压就等于t3~t6的平均电压,即:


显然T1计算较麻烦,可采用图像法对式(11)分两个函数画图,交点即为T1点,方程组为:

图像如图4所示,可知ωt与工作频率f(或与T)相关较大,与电路元件参数相关不大。

由图2和图4可知,在ωT1≈π/8时,模态II和IV的时间约为零,则T2≈T3,f≈0.8f0,也说明工作频率上限fh=0.8f0。
一个T内,输出消耗电量为ILT,电源输入电流两次,每次充电电源消耗电量为图2中Q1的面积,有:Q1=Q2+Q3-2Q4,Q3=Q5+2Q4,ILT=Q2+ Q5。电路变换效率η=UoILT/(2QiUi)×100%=Uo/(2Ii)×100%;充电时段L2平均电流iL2=Q1/T2=(T/T2)(Uo/RL)。

4 实验结果
实验采用图1主电路,VD1,VD2采用1N5821型肖特基二极管,其UVD≈0.4 V(2.5 A时),功率MOSFET管采用IRF3205,其Ron=8mΩ,Ui=12 V,C=4.4 μF,Cs=C3=470 μF,L1=0.6 mH,L3=0.9 mH,rL3=8 mΩ,RL=6.8 Ω,为降低RC1和rs,C1,C2和Cs不能采用普通铝电解电容,原因是其等效内阻太大,应采用低阻电容。谐振电感采用6匝粗铜漆包线线圈,实验时调节电感长度,使f0≈67 kHz,f≈54 kHz,则L≈1μH。
在RL=6.8 Ω时,实验测得输出电压和效率与频率的关系分别如图5a,b所示。可见,约在fh/4~fh的范围内实验值与理论分析符合得很好,但在fh/4以下时,由于电路发生了潜电路效应,实验与理论相关逐渐增大。约在fh/2~fh的范围,可使变换效率基本上超过90%。

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