工程师硬件电路技术经验整理

1:什么是二极管的正偏？在p节加正电压，而n节加负电压。即为正偏。

正偏是扩散电流大大增加，反偏使漂移电流增加。但是漂移电流是由于少子移动形成的，所以有反向饱和电流！

2:一般低频信号，电阻线的粗细是为了流多少电流，而粗细带来的电阻大小不计，因为铜线本身电阻很小，当然特殊情况例外！

3:mos管是依靠多子电子的一种载流子导电的，与晶体三极管的多子与少子一起参与导电的情况不一样。它是一种自隔离器件，不需要设置晶体三极管中的隔离岛，节省心片面积，适合超大规模电路。它的特点是 压控！即控制端几乎不需要电流，容易集成。

4:如何判断三极管的 cbe 极？以及如何判断mos管的gds

a 直接查资料，b 用万用表二极管档，p接正，n接负时有数字显示，所以有测量几次，就可以知道是pnp型还是npn型，b端由此可以断定了。然后用万用表的hef档测量放大倍数，如果接对了即能判断结果。

mos管一般情况下，和散热部分相连的是d.确定了d就简单了，在gs加个电，即用万用表二极管档点一下gs,再去量ds就有数字显示了。再如果短路ds,再去量就没有数字。可以确定gs了。

6:直流反馈是为了稳定静态工作点，交流反馈是为了改善放大器的性能。

7:电容和电阻的串并联关系相反。电感应该和电阻相同，不过还有互感的概念，所以还是有所区别的吧？需要求证！

8:示波器的很多数字显示只有在屏幕中显示多个周期才显示的，太多也不显示！

9:共基放大器是同相放大器，输出电阻大，电压增益为1,号称续流器。

共集放大器是同相放大器，输入电阻大，电流增益为1,号称电压跟随器。共发放大器是反相放大器，输入出电阻是上两个之间，电压增益大，电流增益也大。所以共发，共基放大器，知道共基在后，就知道输出电阻大，将输入电流不衰减的送到输出电阻大的那端。共集共发，明显是输入电阻大，将输入电阻不衰减的送到输出电阻小的那端。

10:正弦电压的输出平均电压在全桥整流电路中是0.9倍的输入电压有效值，所以输出电流的平均值（等同用万用表测量）是输入电压有效值除以负载电阻后的0.9倍。

11:示波器的两个探头是共地的，双踪的时候要注意，这两个地必须连在一起，尤其是高电压的时候！并不是所有的示波器两个探头都是共地的，有些地是独立的。

12:mos管的测量方法，一般是gds排列。用万用表的话，先在gs两端加电，即用万用表点一下gs 然后点ds,就能测量出数字来了。这些都是根据它的本身特征来判断的。注意，gs端的电容很小，u=q/c,如受外界影响，或静电感受，带上小两电荷就可以使u很大，使其烧掉。

13:u盘不能考包含很多小文件的东西，不然后驱动不了，卡住。比如ie文件，这些东西最好压缩，然后考进去。

14:用万用表测量之前必须弄明白测量什么信号，用什么档位。

15:tvs管的响应速度一般很快！

16:对三极管的各项参数以及运放的各项参数需要经常复习，了解！因为十分重要！

17:三极管的几个工作状态 需要彻底明白才行！

18:作实验的检查方法总结：首先应该看电路有几部分组成，其中每部分均可以分三部分来看，电源，输入，输出， 一一检查过来，必然不会错。另外就是看测量仪器是否设置正确。

19:波形叠加只要掌握 Uac=Uab=Ubc的道理就可以了。

20:扼流圈的理解：电感是阻交流，通直流信号的，这点基本和电容相反的。

低频扼流圈：是抑制交流通直流的，高频俄流圈是：抑制高频通低频和直流的。

21:放大电路有直流耦合和交流耦合 ,区别自知！

22:变压器砸数的基本公式 N=V的4次方/4.44fBmS ,公式推导都在学习资料里。方波把4.44改成4.

开关电源的变压器设计，体积计算公式为Vcore=4ueP/fBm*Bm ue为有效导磁率，P为传输功率f为开关频率，Bm为最大磁通密度（T）Bm热轧硅钢片，1.11-1.5t 而冷的1.5-1.7t,应该现在有铁硅铝这种更加好的 东西了。 高频用的铁粉芯mpp 大概是0.3t 具体见学习资料里的东西。

23:三极管b和hef的关系，b是交流放大倍数，hef是直流放大倍数，b和频率相关的 .所以两者是有区别的哦

24:负载重轻对应与电阻的小大，但对恒流源就不一样了，电阻大的话输出功率就大。负载就重点！

25:网络线水晶头的制作。直通线的标准是586B,交叉线的标准是一头586A另一头586B.,其中1236四根线是有用的，其他线为电话线留的。

1 输出数据+,2输出数据- 3输入数据+ 6输入数据- 4578都是电话线用

26:感性负载：即和电源相比当负载电流滞后负载电压一个相位差时负载为感性（如负载为电动机、变压器）。

容性负载：即和电源相比当负载电流超前负载电压一个相位差时负载为容性（如负载为补偿电容）。

阻性负载：即和电源相