开关电源设计原理及全过程(一)

电源二极体)：

整流二极体，一般常用FR105(1A/600V)或BYT42M(1A/1000V)，两者主要差异：

1. 耐压不同(在此处使用差异无所谓)

2. VF不同(FR105=1.2V,BYT42M=1.4V)

3.3.10 R10(辅助电源电阻)：

主要用於调整PWM IC的VCC电压，以目前使用的3843而言，设计时VCC必须大於8.4V(Min. Load时)，但为考虑输出短路的情况，VCC电压不可设计的太高，以免当输出短路时不保护(或输入瓦数过大)。

3.3.11 C7(滤波电容)：

辅助电源的滤波电容，提供PWM IC较稳定的直流电压，一般使用100uf/25V电容。

3.3.12 Z1(Zener 二极体)：

当回授失效时的保护电路，回授失效时输出电压冲高，辅助电源电压相对提高，此时若没有保护电路，可能会造成零件损坏，若在3843 VCC与3843 Pin3脚之间加一个Zener Diode,当回授失效时Zener Diode会崩溃，使得Pin3脚提前到达1V,以此可限制输出电压，达到保护零件的目的。Z1值的大小取决於辅助电源的高低，Z1的决定亦须考虑是否超过Q1的VGS耐压值，原则上使用公司的现有料(一般使用1/2W即可)。

3.3.13 R2(启动电阻)：

提供3843第一次启动的路径，第一次启动时透过R2对C7充电，以提供3843 VCC所需的电压，R2阻值较大时，turn on的时间较长，但短路时Pin瓦数较小，R2阻值较小时，turn on的时间较短，短路时Pin瓦数较大，一般使用220KΩ/2W M.O

3.3.14 R4 (Line Compensation)：

高、低压补偿用，使3843 Pin3脚在90V/47Hz及264V/63Hz接近一致(一般使用750KΩ~1.5MΩ 1/4W之间)。

3.3.15 R3,C6,D1 (Snubber)：

此三个零件组成Snubber,调整Snubber的目的：1.当Q1 off瞬间会有Spike产生，调整Snubber可以确保Spike不会超过Q1的耐压值，2.调整Snubber可改善EMI.一般而言，D1使用1N4007(1A/1000V)EMI特性会较好。R3使用2W M.O.电阻，C6的耐压值以两端实际压差为准(一般使用耐压500V的陶质电容)。

3.3.16 Q1(N-MOS)：

目前常使用的为3A/600V及6A/600V两种，6A/600V的RDS(ON)较3A/600V小，所以温N会较低，若IDS电流未超过3A,应该先以3A/600V为考量，并以温N记录来验证，因为6A/600V的价格高於3A/600V许多，Q1的使用亦需考虑VDS是否超过额定值。