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无线充电应用的次级端整流桥应用方案研究

时间:07-24 来源:电子产品世界 点击:

以MOSFET替代两颗二极管,整流桥的能效得到提升,二极管及MOSFET的功率损耗计算等式为:

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表1比较了使用2A负载条件下三种次级全桥整流器电路应用方案的功率损耗。第一种应用方案是标准4颗二极管配置,第二种应用方案是使用肖特基二极管的4颗二极管配置,第三种应用方案包含2颗肖特基二极管和2颗MOSFET,这种方案有如安森美半导体的NMLU1210集成方案。

如表所示,第三种应用方案的功率损耗最低。节省的功率损耗直接转化为次级端电路整体能效的提升,使无线充电方案具有更高能效。全桥整流器也可以采用4颗MOSFET来实现。但这种应用方案牵涉的因素更多,要求审慎思考。

能效考虑因素对无线充电方案至关重要,因为无线充电方案采用的气隙变压器的能效相比传统线缆充电方案低。因此,为了将无线充电的性能提升至最高,每个电路模块的能效都必须仔细考虑及加以应对。如文中的功率损耗计算结果所示,应用2颗二极管和2颗MOSFET的方案最能节省功率损耗。对于当今的电子行业而言,节能及提升能效处于消费者及制造商所关注问题的最前沿。随着无线充电深入发展,业界对高能效及高性能方案的需求也越来越高。

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