利用安森美IGBT实现高能效的高性能开关应用

•4) 逆变式电焊机
　　安森美半导体还提供一系列可用于逆变式电焊机的600伏和1200伏从15到50安培IGBT(包括NGTB50N120FL2和NGTB50N60FLWG等)，采用场截止第一代工艺和场截止第二代工艺，这些IGBT有较低的导通压降和开关损耗，可降低并联续流二极管正向导通压，提升系统开关效率，低功率损耗，节省线路板空间，适用于全桥式逆变电焊机、半桥式逆变电焊机、电焊机功率因数校正、高频电焊机、激光切割机等高速开关应用。

•5) 不间断电源和太阳能逆变器
　　安森美半导体用于不间断电源和太阳能逆变器 (包括中点钳位式逆变器) 的1200伏和600伏IGBT(包括NGTB50N120FL2和NGTB50N60FLWG等)采用场截止第一代和场截止第二代工艺，价格低廉，工作可靠，导通电压低，开关损耗小，并联的高速续流二极管正向导通电压低。这些器件适用于电池充电器、不间断电源、功率因数校正、全桥和半桥式太阳能逆变器/变换器、中点钳位式逆变器、升压变换器半/全桥拓扑结构。安森美半导体提供不同功率的逆变器用来测试分立式IGBT和IGBT模块。

安森美半导体的客户已成功使用其场截止型第一代IGBTNGTB50N60FLWG开发出了各种应用，如功率10 千伏安、功率因数0.9的不间断电源，以及采用半桥谐振拓扑结构的1450瓦厨用电炉。客户认为，安森美半导体场截止型第一代IGBT的性能达到了市场上最好的性能;其IGBT在电磁炉上的温升低于其它2款IGBT。

未来，安森美半导体将推出超过20款第四代 (场截止型第二代) IGBT以及专用于逆变式电焊机IGBT，并继续开发IGBT模块。无论客户的产品需求如何，安森美半导体总有一款高性能、高能效的IGBT方案能够满足要求，帮助设计工程师设计出高能效及高性能的产品。